×
20.01.2016
216.013.a0c0

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества. Способ заключается в том, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, постоянным периодом следования и изменяющейся по гармоническому закону длительностью. Импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования греющей мощности. В паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра - прямого напряжения на диоде при малом постоянном измерительном токе и вычисляют временную зависимость температуры кристалла в процессе нагрева транзистора, после чего с помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду основной гармоники температуры кристалла и амплитуду основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса транзистора на частоте модуляции греющей мощности. Затем процесс измерения повторяют на других частотах модуляции, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус мощного МДП-транзистора. 4 ил.
Основные результаты: Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов, заключающийся в том, что через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U при измерительном токе I, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды I, постоянным периодом следования Т и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Т греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе I и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду Τ основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса Z мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса Ζ(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус R мощного МДП-транзистора.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества.

Среди существующих способов измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов известен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении (RU 2240573, МПК G01R 31/26, опубл. 20.11.2004), заключающийся в том, что полупроводниковый кристалл нагревают путем пропускания через него постоянного тока Ι0 заданной амплитуды и в процессе нагревания измеряют значение его температурочувствительного параметра, в качестве которого используют прямое падение напряжения на кристалле Uп и одновременно измеряют температуру основания корпуса Тк прибора в выбранной точке. Запоминают эти значения, получая их зависимости от времени. Прекращают нагрев полупроводникового кристалла при достижении температуры Тк заданного значения и в режиме естественного охлаждения при подаче на кристалл коротких измерительных импульсов тока с амплитудой, равной значению постоянного греющего тока Ι0, и скважностью, не влияющими на тепловое равновесие прибора, измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра и температуры основания корпуса, получая зависимости Uп(t) и Тк(t) на интервале охлаждения. При этом длительность интервала охлаждения выбирают из условия безусловного выполнения t>>3τ, где τ - наибольшая тепловая постоянная конструкция прибора, определяют момент динамического равновесия на интервале нагрева и по полученным зависимостям вычисляют тепловое сопротивление переход-корпус.

Недостатком способа является большая погрешность измерения, обусловленная тем, что зависимость температурочувствительного параметра от температуры кристалла, измеряемая при большом греющем токе, имеет нелинейный характер.

Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению (прототипом) является способ измерения теплового сопротивления переход-корпус транзисторов с полевым управлением (RU 2516609, МПК G01R 31/26, опубл. 27.08.2013), суть которого заключается в следующем. Прибор нагревают путем пропускания через него импульсов тока произвольной формы в открытом состоянии. В паузах между импульсами греющего тока, пропуская через прибор измерительный ток, измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра, в качестве которого используют падение напряжения между стоком и истоком открытого прибора, и температуры корпуса. Периодически измеряют и запоминают значения греющего тока и вызываемого им падения напряжения на приборе. Вычисляют среднюю мощность, рассеиваемую в приборе при пропускании через него импульса греющего тока. Сравнивают вычисленную среднюю мощность потерь на n-м интервале измерения с предварительно установленной максимально допустимой для прибора рассеиваемой мощностью. Когда значение меньше, равно или больше РМАХ, соответственно увеличивают, оставляют неизменным или уменьшают среднее значение греющего тока. По достижении температурой корпуса прибора заданного максимума полностью прерывают протекание греющего тока. Через прибор пропускают измерительный ток и измеряют и запоминают значение температурочувствительного параметра. В режиме естественного охлаждения по достижении термодинамического равновесия периодически измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра и температуры корпуса прибора, после чего рассчитывают тепловое сопротивление переход-корпус.

Недостатком прототипа является большая погрешность определения средней мощности, рассеиваемой в приборе при пропускании через него импульса греющего тока произвольной формы, и, как следствие, большая погрешность вычисления теплового сопротивления переход-корпус прибора.

Технический результат - повышение точности измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов.

Технический результат достигается тем, что, как и в прототипе, через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра UТЧП при измерительном токе Iизм, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра. В отличие от прототипа, в котором нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют импульсами греющего тока произвольной формы, пропуская их через открытый канал мощного МДП-транзистора, а в качестве температурочувствительного параметра UТЧП используют напряжение между стоком и истоком мощного МДП-транзистора при открытом канале и измерительном токе Iизм, в заявляемом изобретении нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды Ιгр, постоянным периодом следования Тсл и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Тсл греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра UТЧП - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе Iизм и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду T1 основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P1 основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Сущность способа поясняют фиг. 1-3. На фиг. 1а показана структура мощного n-канального МДП-транзистора, на фиг. 1б - его условное графическое изображение. Особенностью структуры транзистора является наличие антипараллельного диода, образованного p-областью истока и n-областью стока. При замкнутых между собой затворе и истоке мощного МДП-транзистора напряжение UЗИ между ними равно нулю, проводящий канал между истоком и стоком отсутствует и ток между истоком и стоком протекает через антипараллельный диод по пути, показанному на фиг. 1а стрелками.

На фиг. 2а показана временная зависимость тока I через антипараллельный диод мощного МДП-транзистора, представляющая собой последовательность греющих импульсов с постоянным периодом следования Тсл и изменяющейся по гармоническому закону длительностью. Широтно-импульсная модуляция греющего тока Iгр, осуществляемая по гармоническому закону, вызывает соответствующие изменения рассеиваемой в мощном МДП-транзисторе мощности , график которой показан на фиг. 2б. Модуляция греющей мощности вызывает соответствующие изменения температуры T(t) кристалла мощного МДП-транзистора, сдвинутые по фазе относительно мощности (фиг. 2в). Изменение температуры вызывает соответствующие изменения температурочувствительного параметра UТЧП(t) (фиг. 2г), в качестве которого используют прямое напряжение на антипараллельном диоде, измеряемое в паузах между греющими импульсами при измерительном токе Iизм. Прямое напряжение на диоде линейно зависит от температуры, что позволяет на основе измерения UТЧП(t) определить T(t). Отношение основной гармоники Τ1 температуры кристалла и основной гармоники P1 рассеиваемой в мощном МДП-транзисторе мощности определяет модуль теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции греющей мощности ω.

На фиг. 3 представлена частотная зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, полученная в результате измерений модуля теплового импеданса ΖT при различных частотах ω модуляции греющей мощности. Значение ΖT на пологом участке частотной зависимости определяет тепловое сопротивление переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Предлагаемый способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема которого показана на фиг. 4. Устройство содержит источник 1 измерительного тока; формирователь 2 греющих импульсов, управляемый микроконтроллером 3; аналого-цифровой преобразователь 4, вход которого соединен с объектом измерения - мощным МДП-транзистором 5, а выход - с микроконтроллером 3. Затвор и исток мощного МДП-транзистора 5 соединены между собой.

Способ осуществляют следующим образом. С выхода формирователя 2 греющих импульсов через объект измерения - мощный МДП-транзистор 5 - пропускают заданное микроконтроллером 3 количество импульсов греющего тока Iгр, период следования Тсл которых поддерживают постоянным, а длительность модулируют по гармоническому закону. Частота модуляции задается микроконтроллером. В паузах между греющими импульсами измеряют температурочувствительный параметр - прямое напряжение UТЧП на антипараллельном диоде мощного МДП-транзистора 5, возникающее при протекании через него измерительного тока Iизм, сформированного источником 1. Напряжение UТЧП с помощью аналого-цифрового преобразователя 4 преобразуют в цифровой код, поступающий в микроконтроллер 3, в результате чего в памяти микроконтроллера 3 формируют массив значений {UТЧП}, который затем преобразуют в массив температур {Т} кристалла. С помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду Τ1 основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P1 основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса ΖT мощного МДП-транзистора на частоте модуляции греющей мощности ω. Затем процесс измерения повторяют при других частотах модуляции греющей мощности ω, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса ΖT(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое равно тепловому сопротивлению переход-корпус RТп-к мощного МДП-транзистора.

Повышение точности измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов в заявляемом способе достигается за счет того, что, в отличие от прототипа, в нем с более высокой точностью определяются средняя мощность, рассеиваемая в объекте измерения при прохождении через него каждого импульса греющего тока, а также амплитуда основной гармоники температуры кристалла, вычисление которой производится с помощью Фурье-преобразования достаточно большого по объему массива данных.

Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус мощных МДП-транзисторов, заключающийся в том, что через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока, в паузах между ними измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U при измерительном токе I, вычисляют среднюю рассеиваемую мощность при каждом импульсе греющего тока и соответствующие изменения температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через мощный МДП-транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды I, постоянным периодом следования Т и изменяющейся по гармоническому закону длительностью τ, импульсы пропускают через встроенный в мощный МДП-транзистор антипараллельный диод при закрытом канале мощного МДП-транзистора, измеряют и запоминают для каждого греющего импульса напряжение на антипараллельном диоде и вычисляют временную зависимость средней за период следования Т греющей мощности , в паузах между импульсами греющего тока измеряют и запоминают значения температурочувствительного параметра U - прямого напряжения на антипараллельном диоде при измерительном токе I и вычисляют временную зависимость температуры T(t) кристалла в процессе нагрева мощного МДП-транзистора, с помощью Фурье-преобразования временных зависимостей T(t) и вычисляют амплитуду Τ основной гармоники температуры кристалла и амплитуду P основной гармоники греющей мощности, отношение которых равно модулю теплового импеданса Z мощного МДП-транзистора на частоте модуляции ω греющей мощности, после чего процесс измерения повторяют на других частотах модуляции ω греющей мощности, получают частотную зависимость модуля теплового импеданса Ζ(ω) мощного МДП-транзистора, содержащую участок с постоянным значением модуля теплового импеданса, которое принимают равным тепловому сопротивлению переход-корпус R мощного МДП-транзистора.
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД-КОРПУС МОЩНЫХ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 131-140 of 262 items.
10.08.2015
№216.013.6dcd

Ремень безопасности для транспортного средства

Изобретение относится к ремню безопасности для транспортного средства. Ремень включает пряжку 1 с прорезью 2, сквозь которую протянута лямка 3, и язычковой защелкой 4, вводимой в замок 5, укрепленный на боковине 6 сиденья 7. Перемычка между прорезью пряжки и ее наружним контуром выполнена в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559667
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.6dce

Устройство для отвода от автомобиля энергии встречного удара

Изобретение относится к области транспортного машиностроения. Устройство для отвода от автомобиля энергии встречного удара включает установленную в передней части автомобиля подвижную ударную поверхность. Подвижная ударная поверхность выполнена в виде изогнутой в форме части полого цилиндра...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559668
Дата охранного документа: 10.08.2015
27.08.2015
№216.013.7441

Способ измерения параметров элементов многоэлементных нерезонансных линейных двухполюсников

Изобретение относится к технике измерения параметров элементов электрических цепей и может быть использовано для измерения параметров элементов многоэлементных двухполюсников, в том числе параметров элементов эквивалентных схем замещения полупроводниковых приборов. На контролируемый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561336
Дата охранного документа: 27.08.2015
27.08.2015
№216.013.7442

Способ измерения теплового сопротивления кмоп цифровых интегральных микросхем

Использование: для контроля качества цифровых интегральных микросхем КМОП логическими элементами и оценки их температурных запасов. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает подачу напряжения на контролируемую микросхему, переключение логического состояния греющего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561337
Дата охранного документа: 27.08.2015
27.08.2015
№216.013.7532

Способ получения износостойкого покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Способ получения износостойкого покрытия для режущего инструмента включает вакуумно-плазменное нанесение покрытия, при этом наносят покрытие из нитрида или...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561577
Дата охранного документа: 27.08.2015
27.08.2015
№216.013.7533

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к нанесению износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида молибдена. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения титана,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561578
Дата охранного документа: 27.08.2015
27.08.2015
№216.013.7534

Способ получения износостойкого покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Способ включает вакуумно-плазменное нанесение износостойкого покрытия из нитрида или карбонитрида титана, алюминия, кремния, циркония и хрома при их соотношении,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561579
Дата охранного документа: 27.08.2015
27.08.2015
№216.013.7555

Способ получения многослойного покрытия для режущего инструмента

Изобретение относится к способам нанесения износостойких покрытий на режущий инструмент и может быть использовано в металлообработке. Проводят вакуумно-плазменное нанесение многослойного покрытия. Сначала наносят нижний слой из нитрида хрома. Затем наносят верхний слой из нитрида соединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561612
Дата охранного документа: 27.08.2015
10.09.2015
№216.013.766f

Способ работы закрытой системы теплоснабжения

Изобретение относится к области теплоэнергетики и может быть использовано в системах теплоснабжения. Способ работы закрытой системы теплоснабжения, по которому сетевую воду готовят на ТЭЦ и по подающему трубопроводу теплосети через тепловой пункт направляют в трубопроводы систем отопления и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561908
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.7672

Способ работы закрытой системы теплоснабжения

Изобретение относится к области теплоэнергетики и может быть использовано в системах теплоснабжения. Способ работы закрытой системы теплоснабжения, по которому потребителям подают из теплоисточника сетевую воду для покрытия тепловых нагрузок отопления и горячего водоснабжения, воду для горячего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561911
Дата охранного документа: 10.09.2015
Showing 131-140 of 432 items.
10.03.2014
№216.012.aa2c

Градирня

Градирня содержит корпус, водораспределительную систему и водоструйные форсунки-эжекторы, водораспределительную систему и осевой вентилятор. Корпус выполнен в виде вертикального короба с воздуховходными окнами, выполненными по периметру в нижней ее части. Форсунки-эжекторы подключены к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509279
Дата охранного документа: 10.03.2014
20.03.2014
№216.012.ac63

Устройство для предотвращения образования сосулек

Изобретение относится к области строительства, в частности к устройству для предотвращения образования сосулек с крыш зданий. Технический результат изобретения заключается в повышении эксплуатационной надежности крыши. Устройство содержит на выступающих деталях крыши сбивающий орган, имеющий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509846
Дата охранного документа: 20.03.2014
20.03.2014
№216.012.acd3

Способ теплоснабжения

Изобретение относится к области теплоэнергетики и может быть использовано в системах теплоснабжения городов. Способ теплоснабжения, по которому на теплоисточнике осуществляют центральное качественное регулирование суммарной тепловой нагрузки водяной системы теплоснабжения по температурному...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509958
Дата охранного документа: 20.03.2014
20.03.2014
№216.012.acd4

Система обеспечения микроклимата

Изобретение относится к вентиляции и может быть использовано в гражданских зданиях. Система обеспечения микроклимата содержит устройство для забора наружного воздуха, воздушный фильтр 2 для очистки воздуха, элемент Пельтье, вентилятор, электродвигатель, сеть воздуховодов, дроссель-клапан,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509959
Дата охранного документа: 20.03.2014
20.03.2014
№216.012.ad15

Способ определения адгезии золотистого стафилококка

Изобретение относится к медицине, а именно к микробиологии, и может быть использовано для определения адгезии золотистого стафилококка. Для этого исследуют чистую культуру золотистого стафилококка в концентрации 1 млрд/мл. Определяют среднее количество микробов, адгезированных на одном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510024
Дата охранного документа: 20.03.2014
20.03.2014
№216.012.ad6e

Воздушная линия электропередачи

Использование: в области электроэнергетики. Технический результат - повышение эффективности. Линия снабжена средством противогололедной защиты, включающим размещенные на проводе (1) подвижные элементы (2) для механического удаления отложений, выполненные в виде системы замкнутых рамок вытянутой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510113
Дата охранного документа: 20.03.2014
20.03.2014
№216.012.ad6f

Устройство для удаления гололедных отложений с проводов

Использование: в области электроэнергетики для удаления гололедных отложений с проводов. Технический результат заключается в повышении эффективности. Устройство содержит установленные на проводе (1) с зазором витые цилиндрические пружины (2) с аэродинамическими элементами (3) и расположенными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510114
Дата охранного документа: 20.03.2014
10.04.2014
№216.012.b17a

Устройство для автоматического механического удаления сосулек

Изобретение относится к области строительства, в частности к устройству для автоматического механического удаления сосулек с крыш здания. Технический результат изобретения заключается в повышении эксплуатационной надежности крыши. Устройство для удаления сосулек со свесов кровли включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511149
Дата охранного документа: 10.04.2014
10.04.2014
№216.012.b555

Карниз крыши здания

Изобретение относится к области строительства, в частности к карнизу крыши здания. Технический результат заключается в повышении эксплуатационной надежности крыши. Карниз крыши здания содержит выступающую полосу из упругой стали, задерживающую на своей поверхности слой льда, снега и сосульки....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002512145
Дата охранного документа: 10.04.2014
20.05.2014
№216.012.c679

Импульсный селектор

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для построения средств автоматики, функциональных узлов систем управления. Техническим результатом является возможность воспроизведения операции min(τ, τ) либо операции mах(τ, τ), где τ, τ есть длительности положительных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002516568
Дата охранного документа: 20.05.2014
+ добавить свой РИД