×
27.11.2014
216.013.0ba4

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ОЧИСТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изготовление относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает уменьшение длительности и упрощение процесса, полное удаление загрязнений. В способе обработки карбид-кремниевой трубы очистку карбид-кремниевой трубы проводят в растворе, состоящем из бифторида аммония - NHHF, соляной кислоты - НС1 и деионизованной воды - HO в соотношении 1:1,5:4, соответственно. Длительность обработки составляет 10±7 минут. По окончании обработки трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре 30 минут.
Основные результаты: Способ обработки карбид-кремниевой трубы, включающий очистку карбид-кремниевой трубы перед проведением высокотемпературных процессов в растворе, состоящем из бифторида аммония (NHHF), соляной кислоты (НСl) и деионизованной воды (НO), отличающийся тем, что в качестве раствора используют раствор, в состав которого входят бифторид аммония, соляная кислота и деионизованная вода в соотношении компонентов 1:1,5:4 при комнатной температуре, длительность процесса составляет 10±7 минут, далее осуществляется промывка в деионизованной воде в течение 30 минут, качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги.

Изготовление относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Известны способы обработки изделий в различных травителях при высоких температурах [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений с карбид-кремниевой трубы. Известен способ обработки карбид-кремниевой трубы раствором, в состав которого входят плавиковая кислота - HF, соляная кислота - НС1 и деионизованная вода- H2O в соотношении 1:1:3,5. Сущность данного способа в том, что карбид-кремниевую трубу подвергают обработке раствором в течение 20±5 минут [2].

Основным недостатком этого способа является длительность процесса, неполное удаление загрязнений, использование небезопасной плавиковой кислоты.

Целью изобретения является уменьшение длительности и упрощение процесса, полное удаление загрязнений.

Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с карбид-кремниевой трубы происходит за счет использования раствора, в состав которого входят бифторид аммония - NH4HF2, соляная кислота - НС1 и деионизованная вода - H2O в соотношении 1:1,5:4. Длительность обработки составляет 10±7 минут. По окончании обработки трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 30 минут. Сущность способа заключается в том, что карбид-кремниевую трубу подвергают обработке раствором в течение 10±7 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги, которую следует приложить к мокрой внутренней поверхности трубы. В случае покраснении индикаторной бумаги следует повторить обработку. После чего установить трубу в шкаф и выдержать при комнатной температуре не менее 11 часов. Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки карбид-кремниевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония, соляной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH4HF2:HCl:H2O

1:1,5:5,0

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 15±5 минут. По окончании обработки карбид-кремниевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 30 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 2. Способ обработки осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки карбид-кремниевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония, соляной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH4HF2:HC1:H2O

1:1,5:4,0

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 10±7 минут. По окончании обработки карбид-кремниевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 30 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги. Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами обеспечивает полное удаление загрязнений, безопасный процесс обработки, уменьшение длительности процесса.

Литература

1. А.И. Курсонов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высшая школа, 1980, стр.88-89.

2. Патент №2377690, Н 01 L 21/306, 27.12.2009

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 134 items.
27.07.2014
№216.012.e3f0

Способ защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты p-n-переходов на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524142
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f3

Способ изготовления бсит-транзистора с охранными кольцами

Использование: для изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют формирование в полупроводниковой подложке на эпитаксиальном обедненном слое первый тип проводимости, формирование защитного фоторезистивного слоя, формирование карманов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524145
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f5

Способ защиты поверхности кристаллов p-n переходов

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты кристаллов p-n-переходов. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524147
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f7

Способ получения стекла из пятиокиси фосфора

Использование: для получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоро-силикатных стекол для формирования p-n переходов. Сущность изобретения заключается в том, что кремниевые пластины загружают в кварцевую лодочку, помещенную в кварцевую трубу, находящуюся внутри...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524149
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f9

Способ диффузии бора для формирования р-области

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых мощных транзисторов, в частности может быть использовано для формирования активной ρ-области. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса значений поверхностных концентраций и получение равномерного легирования по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524151
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e542

Тепловая труба с применением трубчатых оптоволоконных структур

Изобретение относится к устройствам для отвода тепла от компонентов радиоэлектроники с высокой мощностью тепловыделений, в частности к тепловым трубам, и может использоваться в различных областях электронной промышленности. Тепловая труба с применением трубчатых оптоволоконных структур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524480
Дата охранного документа: 27.07.2014
10.08.2014
№216.012.e7ef

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525168
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7f0

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525169
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7f1

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525170
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7f2

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525171
Дата охранного документа: 10.08.2014
Showing 11-20 of 147 items.
20.02.2014
№216.012.a3bd

Светотранзистор с высоким быстродействием

Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Светотранзистор с высоким быстродействием, выполненный в виде биполярного транзистора с p-n-p или n-p-n-структурой, согласно изобретению в нем p-n-переход, на котором электроны переходят из p зоны в n зону, сформирован в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507632
Дата охранного документа: 20.02.2014
20.04.2014
№216.012.baaf

Бункер с наклонными электродами для электроразогрева бетонной смеси

Изобретение относится к области строительства, а именно к конструкциям для электроразогрева бетонной смеси в построечных условиях. Изобретение позволит обеспечить повышение равномерности разогрева бетонной смеси, сократить продолжительность разогрева бетонной смеси, уменьшить расход...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513519
Дата охранного документа: 20.04.2014
20.04.2014
№216.012.bb05

Система сейсмозащиты каркасных зданий

Изобретение относится к области сейсмостойкого строительства и может быть использовано при строительстве каркасных зданий с отдельными фундаментами. Система сейсмозащиты каркасных зданий характеризуется наличием элементов скольжения. Состоит из колонн с расширенной верхней частью, установленных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513605
Дата охранного документа: 20.04.2014
20.05.2014
№216.012.c55f

Синхронный микродвигатель с электромагнитным униполярным возбуждением

Изобретение относится к области электротехники, в частности к электрическим машинам, и касается выполнения синхронного микродвигателя (СД) с электромагнитным униполярным возбуждением. Технический результат - повышение надежности работы синхронного микродвигателя за счет создания на роторе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002516286
Дата охранного документа: 20.05.2014
20.05.2014
№216.012.c80f

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Представлен способ стерилизации компота из груш и айвы в банках СКО 1-82-500, включающий процесс нагрева в потоке воздуха температурой 130°С и скоростью 1,5-2 м/с в течение 26 мин с последующей выдержкой в течение 12-55 мин при температуре нагретого воздуха 95°С и охлаждением в потоке...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002516974
Дата охранного документа: 20.05.2014
27.06.2014
№216.012.d710

Способ профилактики и лечения синдрома сухих глаз

Изобретение относится к медицине, а именно к офтальмологии. Способ заключается в использовании носимого дозатора с автоматическим регулированием количества впрыскиваемых доз, состоящего из электронного блока и блока гидравлики. При этом в электронном блоке с помощью пьезодатчика, укрепленного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002520834
Дата охранного документа: 27.06.2014
27.07.2014
№216.012.e3eb

Способ химического травления полупроводников

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС). Сущность изобретения заключается в том, что химическое травление поверхности полупроводников проводят в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO) и уксусной (CHCOOH)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524137
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3ee

Диффузия фосфора из нитрида фосфора (pn)

Изобретение относится к технологии получения мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения фосфоросиликатного стекла для формирования p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерного значения поверхностной концентрации по всей поверхности кремниевой пластины и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524140
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f0

Способ защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n-переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты p-n-переходов на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524142
Дата охранного документа: 27.07.2014
27.07.2014
№216.012.e3f3

Способ изготовления бсит-транзистора с охранными кольцами

Использование: для изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют формирование в полупроводниковой подложке на эпитаксиальном обедненном слое первый тип проводимости, формирование защитного фоторезистивного слоя, формирование карманов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524145
Дата охранного документа: 27.07.2014
+ добавить свой РИД