×
20.07.2014
216.012.de03

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАЛОГЕНИДОВ ТАЛЛИЯ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области получения материалов, прозрачных в инфракрасной области спектра, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, прозрачных в области длин волн от 0,4 до 25 мкм, неохлаждаемых детекторов χ- и γ - излучений для ядерно-физических методов диагностики и контроля, а также изготовления волоконных световодов ИК-диапазона. Способ получения кристаллов галогенидов таллия включает синтез соли галогенида таллия путем барботирования смеси инертного газа с парами галогена через расплав металлического таллия, очистку соли вакуумной дистилляцией расплава в контейнере и выращивание кристалла, при этом вакуумную дистилляцию проводят в контейнере, установленном под углом 30-50 град относительно горизонтальной плоскости, при вращении контейнера вокруг его продольной оси со скоростью 60-100 об/мин. Изобретение обеспечивает повышение производительности и упрощение процесса получения кристаллов. 2 пр.
Основные результаты: Способ получения кристаллов галогенидов таллия, включающий синтез соли галогенида таллия путем барботирования смеси инертного газа с парами галогена через расплав металлического таллия, очистку соли вакуумной дистилляцией расплава в контейнере и выращивание кристалла, отличающийся тем, что вакуумную дистилляцию проводят в контейнере, установленном под углом 30-50 град относительно горизонтальной плоскости, при вращении контейнера вокруг его продольной оси со скоростью 60-100 об/мин.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области получения материалов, прозрачных в инфракрасной области спектра, а именно кристаллов галогенидов таллия, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, прозрачных в области длин волн от 0,4 до 25 мкм, неохлаждаемых детекторов χ- и γ-излучений для ядерно-физических методов диагностики и контроля, а также изготовления волоконных световодов ИК-диапазона.

Известен способ получения кристаллов бромида таллия, включающий глубокую очистку исходной соли таллия чередованием процессов вакуумной дистилляции, направленной кристаллизации, вакуумной дистилляции с последующим выращиванием кристаллов из полученной соли чистотой 99,9%. (А.В.Елютин, М.С.Кузнецов, И.С.Лисицкий и др. Получение кристаллов бромида таллия для датчиков χ- и γ-излучения. ISSN 0372-2929. Цветные металлы, 2004 г, №11. С.84-87). Известный способ позволяет достаточно глубоко очистить исходные соли от примесей и получить кристалл бромида таллия. Однако процесс очистки с последующим выращиванием кристалла очень трудоемок из-за частых перегрузок и малопроизводителен (процесс очистки длится до нескольких суток) из-за большого количества процессов.

Известен способ получения кристаллов галогенидов таллия, включающий синтез солей галогенидов таллия барботированием смеси инертного газа и галогена через расплав металлического таллия, очистку их от примесей последовательным сочетанием направленной кристаллизации расплава и вакуумной дистилляции с поверхности расплава в вертикальном стеклянном контейнере с последующим выращиванием кристалла методом Стокбаргера. (Т.И.Дарвойд, Е.Г.Морозов, В.Б.Беклемишев и др. Важнейшие соединения таллия. Свойства, получение, применение. ISSN NO13-8379. Ставрополь: «Люминофор», 1997 г. С.145-169). Способ принят за прототип.

В известном способе получения кристаллов галогенидов таллия для очистки исходных солей используют процесс вакуумной дистилляции галогенидов таллия в стеклянном контейнере с ограниченной поверхностью расплава для дистилляции. Длительность процесса составляет не менее 8-10 часов. Кроме того, возгоняемый материал из-за ограниченной вертикальными стенками контейнера поверхности конденсируется в виде компактного поликристаллического слитка, затрудняющего и усложняющего дальнейшее разделение его на фракции по степени очистки.

Техническим результатом изобретения является повышение производительности и упрощение процесса получения кристаллов галогенидов таллия.

Технический результат достигается тем, что в способе получения кристаллов галогенидов таллия, включающем синтез соли галогенида таллия путем барботирования смеси инертного газа с парами галогена через расплав металлического таллия, очистку соли вакуумной дистилляцией с поверхности расплава в контейнере и выращивание кристалла, согласно изобретению вакуумную дистилляцию проводят в контейнере, установленном под углом 30-50 град относительно горизонтальной плоскости, при вращении контейнера вокруг его продольной оси со скоростью 60-100 об/мин.

Сущность изобретения заключается в том, что в отличие от способа прототипа, где вакуумную дистилляцию проводят в вертикальном контейнере диаметром 40-45 мм, и свободная поверхность расплава ограничена данным размером, в заявленном способе вакуумную дистилляцию проводят в контейнере, установленном под наклоном к горизонтальной плоскости на угол 30-50 градусов, в результате чего площадь свободной поверхности расплава, с которой происходит возгонка галогенида таллия, увеличивается. При этом вращение наклоненного контейнера вокруг его продольной оси со скоростью 60-100 об/мин интенсифицирует процесс очистки галогенида таллия от труднолетучих примесей.

Угол наклона 30-50 град обеспечивает увеличение поверхности расплава не менее чем в 1,5-2 раза. При угле наклона менее 30 град одновременно с увеличением поверхности испарения расплава увеличивается и поверхность, на которой происходит конденсация испаряющегося галогенида таллия, и при вращении контейнера часть неиспарившегося расплава, загрязненного труднолетучими примесями, смешивается с возгонами и загрязняет их, что усложняет разделение конденсирующегося материала на загрязненные и очищенные фракции и, тем самым, снижает производительность. Кроме того, из-за относительно ограниченных геометрических размеров контейнера увеличивается возможность выливания расплава из контейнера в начальной стадии возгонки.

При увеличении угла наклона контейнера более 50 град уменьшается производительность, так как уменьшается свободная поверхность расплава, с которой происходит возгонка галогенида таллия и, следовательно, поверхность, на которой происходит конденсация испаряющегося галогенида таллия.

При вращении контейнера происходит перемешивание расплава галогенида таллия с постоянным обновлением поверхности расплава, что способствует интенсификации процесса очистки галогенида таллия от примесей. При вращении контейнера со скоростью ниже 60 об/мин из-за вязкости расплава галогенида таллия на его поверхности образуется пленка, насыщенная труднолетучими примесями, что затрудняет перемешивание расплава, обновление его поверхности и возгонку галогенида таллия. Производительность процесса очистки снижается.

При скорости вращения выше 100 об/мин возникающая центробежная сила удерживает расплав около стенок контейнера и вращает его вместе с контейнером, не перемешивая расплав, что также снижает производительность процесса.

Примеры выполнения способа

Пример 1. В стакан из термостойкого боросиликатного стекла загружали слиток металлического таллия весом 1,5 кг. По центру стакана на высоте 5-10 мм от дна устанавливали трубку из термостойкого стекла для подачи смеси галогена и инертного газа. Трубку соединяли с установленной на водяной бане колбой с жидким бромом марки ОСЧ и баллоном с особо чистым аргоном или гелием. Расплавляли металл и, барботируя через расплав металла смесь паров брома с инертным газом, синтезировали бромид таллия, оставляя 10 - 20% непрореагировавшего металла для цементации примесей. После окончания процесса синтеза бромид таллия механически отделяли от непрореагировавшего металла. Бромид таллия перегружали в термостойкий стеклянный контейнер диаметром 40 мм, длиной 500 мм. Контейнер с бромидом помещали в герметичную вакуумируемую реторту, которую вакуумировали до остаточного давления (1-2)·10-2 мм рт.ст. и размещали в зоне высокой температуры в печи с продольным градиентом температуры. Контейнер нагревали до температуры 500°С до расплавления бромида таллия. Реторту с контейнером устанавливали под углом 30 градусов относительно горизонтальной плоскости и включали вращение вокруг продольной оси контейнера со скоростью 90 об/мин. Под действием вакуума расплав бромида таллия испаряли и конденсировали на стенках контейнера в холодной зоне контейнера в виде мелкокристаллического слитка. За счет наклона контейнера длина слитка сконденсированного материала составляла 300 мм. От полученного слитка отделяли начальную и конечную части, обогащенные - и труднолетучими примесями, а среднюю очищенную часть слитка помещали в установку выращивания кристаллов и процесс выращивания осуществляли методом Стокбаргера. Получали кристалл диаметром 35 мм, весом 450 г. Спектральное пропускание выращенного кристалла на длине волны 2,5-20,0 мкм составило 68%, коэффициент объемного поглощения βv на длине волны 10,6 мкм 5·10-5 см-1. Время процесса очистки соли с помощью заявленного способа составило 3 часа. Процесс очистки соли бромида таллия для выращивания такого же кристалла с использованием известного способа вакуумной дистилляции в вертикальном контейнере составил 6 часов.

Пример 2. Синтезирование твердого раствора бромида-йодида таллия так же, как в примере 1, осуществляли методом барботирования смеси паров йода и брома с инертным газом через расплав металлического таллия, получали 700 г солей твердого раствора состава 42,5 мас.% бромида таллия, 57,5 мас.% йодида таллия (КРС-5). Соли перегружали в термостойкий стеклянный контейнер диаметром 40 мм, длиной 500 мм. Контейнер с бромидом-иодидом таллия помещали в герметичную вакуумируемую реторту, которую вакуумировали до остаточного давления (1-2)·10-2 мм рт.ст. и размешали в печи с продольным градиентом температуры в зоне высокой температуры. Контейнер нагревали до температуры 450°С до расплавления соли КРС-5. Реторту с контейнером устанавливали под углом 50 градусов относительно горизонтального расположения контейнера и включали вращение вокруг продольной оси со скоростью 80 об/мин. Под действием вакуума расплав бромида-йодида таллия испаряли и конденсировали на стенках контейнера в холодной зоне контейнера в виде мелкокристаллического слитка. Длина сконденсировавшегося слитка составляла за счет наклона контейнера 350 мм. От сконденсировавшегося слитка отделяли начальную и конечную обогащенную легко- и труднолетучими примесями части, а среднюю очищенную часть слитка помещали в установку выращивания кристаллов и процесс выращивания осуществляли методом Стокбаргера. Получали кристалл диаметром 40 мм, весом 500 г. Спектральное пропускание выращенного кристалла на длине волны 2,5-20,0 мкм составило 68%, коэффициент объемного поглощения βv на длине волны 10,6 мкм 8·10-5 см-1. Время процесса очистки соли с помощью заявленного способа составило 2,5 часа. Процесс очистки соли бромида таллия для выращивания такого же кристалла с использованием известного способа вакуумной дистилляции в вертикальном контейнере составил 5 часов.

Таким образом, заявленный способ позволяет повысить в 1,5-2 раза производительность и упростить процесс, и за счет упрощения сократить трудозатраты.

Способ получения кристаллов галогенидов таллия, включающий синтез соли галогенида таллия путем барботирования смеси инертного газа с парами галогена через расплав металлического таллия, очистку соли вакуумной дистилляцией расплава в контейнере и выращивание кристалла, отличающийся тем, что вакуумную дистилляцию проводят в контейнере, установленном под углом 30-50 град относительно горизонтальной плоскости, при вращении контейнера вокруг его продольной оси со скоростью 60-100 об/мин.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 23 items.
27.06.2013
№216.012.50e0

Способ получения кристаллических заготовок твердых растворов галогенидов серебра для оптических элементов

Изобретение относится к области получения материалов прозрачных в инфракрасной области спектра, а именно кристаллов галогенидов серебра, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов прозрачных в области длин волн от 0,4 до 15 мкм, а также для изготовления волоконных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002486297
Дата охранного документа: 27.06.2013
10.07.2013
№216.012.545f

Способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия

Изобретение относится к области получения материалов, прозрачных в инфракрасной области спектра, а именно кристаллов галогенидов серебра и таллия, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, прозрачных в области длин волн от 0,4 до 25 мкм, а также для изготовления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002487202
Дата охранного документа: 10.07.2013
20.07.2013
№216.012.5627

Способ оценки степени метаболической и кардиореспираторной адаптации кардиохирургических больных

Изобретение относится к медицине, а именно к анестезиологии и интенсивной терапии, и может быть использовано при необходимости оценки степени метаболической и кардиореспираторной адаптации пациента. Для этого во время операции и интенсивной терапии осуществляют последовательное вдыхание газовой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002487663
Дата охранного документа: 20.07.2013
10.11.2013
№216.012.7db7

Лакокрасочная композиция

Изобретение относится к лакокрасочным композициям, предназначенным для окраски поверхностей, эксплуатирующихся в условиях возможного микробного заражения. Лакокрасочная композиция содержит связующее, пигмент, функциональные добавки и/или наполнитель, наноструктурные частицы серебра, полученные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497856
Дата охранного документа: 10.11.2013
10.02.2014
№216.012.9ec4

Кристаллы на основе бромида таллия для детекторов ионизирующего излучения

Изобретение относится к области получения материалов детекторов для регистрации ионизирующего излучения, которые могут быть использованы для инфракрасной оптики, лазерной техники, акустооптики. Кристалл на основе бромида таллия дополнительно содержит бромид кальция при следующем соотношении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506352
Дата охранного документа: 10.02.2014
20.02.2014
№216.012.a260

Способ получения индия высокой чистоты

Изобретение относится к технологии редких и рассеянных элементов. Способ получения индия высокой чистоты включает вакуум-термическую обработку индия. При этом вакуум-термическую обработку проводят в две стадии. На первой стадии ее проводят при температуре 1000-1350°С, получают три...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507283
Дата охранного документа: 20.02.2014
10.03.2014
№216.012.aa9f

Способ получения термоэлектрического материала n-типа на основе твердых растворов bite-bise

Изобретение относится к производству термоэлектрических материалов. Сущность: для получения стержней термоэлектрического материала на основе твердых растворов BiTe-BiSe n-типа проводимости с эффективностью ZT>1,2 и механической прочностью не менее 150 МПа осуществляют механоактивационный синтез...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509394
Дата охранного документа: 10.03.2014
27.05.2014
№216.012.c8b4

Керамический композиционный материал и способ его получения

Изобретение относится к области керамики и, в частности, к композиционному материалу и способу его получения. Керамический композиционный материал включает матрицу из оксида алюминия, легированного оксидом магния, и многослойные углеродные нанотрубки при следующем соотношении компонентов, об.%:...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002517146
Дата охранного документа: 27.05.2014
20.11.2014
№216.013.08af

Способ получения термоэлектрического материала n-типа на основе тройных твердых растворов mgsisn

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к производству термоэлектрических материалов (ТЭМ) n-типа проводимости на основе тройного твердого раствора MgSiSn. Может использоваться при изготовлении среднетемпературных термоэлектрических генераторов возобновляемой энергии,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533624
Дата охранного документа: 20.11.2014
27.11.2014
№216.013.0a8a

Способ получения крупногабаритных малодислокационных монокристаллов антимонида галлия

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, которые используются в качестве подложечного материала в изопериодных гетероструктурах на основе тройных и четверных твердых растворов в системах Al-Ga-As-Sb и In-Ga-As-Sb, позволяющих создавать широкую гамму...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534106
Дата охранного документа: 27.11.2014
Showing 1-10 of 33 items.
27.06.2013
№216.012.50e0

Способ получения кристаллических заготовок твердых растворов галогенидов серебра для оптических элементов

Изобретение относится к области получения материалов прозрачных в инфракрасной области спектра, а именно кристаллов галогенидов серебра, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов прозрачных в области длин волн от 0,4 до 15 мкм, а также для изготовления волоконных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002486297
Дата охранного документа: 27.06.2013
10.07.2013
№216.012.545f

Способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия

Изобретение относится к области получения материалов, прозрачных в инфракрасной области спектра, а именно кристаллов галогенидов серебра и таллия, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, прозрачных в области длин волн от 0,4 до 25 мкм, а также для изготовления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002487202
Дата охранного документа: 10.07.2013
10.11.2013
№216.012.7db7

Лакокрасочная композиция

Изобретение относится к лакокрасочным композициям, предназначенным для окраски поверхностей, эксплуатирующихся в условиях возможного микробного заражения. Лакокрасочная композиция содержит связующее, пигмент, функциональные добавки и/или наполнитель, наноструктурные частицы серебра, полученные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497856
Дата охранного документа: 10.11.2013
10.02.2014
№216.012.9ec4

Кристаллы на основе бромида таллия для детекторов ионизирующего излучения

Изобретение относится к области получения материалов детекторов для регистрации ионизирующего излучения, которые могут быть использованы для инфракрасной оптики, лазерной техники, акустооптики. Кристалл на основе бромида таллия дополнительно содержит бромид кальция при следующем соотношении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506352
Дата охранного документа: 10.02.2014
20.02.2014
№216.012.a260

Способ получения индия высокой чистоты

Изобретение относится к технологии редких и рассеянных элементов. Способ получения индия высокой чистоты включает вакуум-термическую обработку индия. При этом вакуум-термическую обработку проводят в две стадии. На первой стадии ее проводят при температуре 1000-1350°С, получают три...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507283
Дата охранного документа: 20.02.2014
10.03.2014
№216.012.aa9f

Способ получения термоэлектрического материала n-типа на основе твердых растворов bite-bise

Изобретение относится к производству термоэлектрических материалов. Сущность: для получения стержней термоэлектрического материала на основе твердых растворов BiTe-BiSe n-типа проводимости с эффективностью ZT>1,2 и механической прочностью не менее 150 МПа осуществляют механоактивационный синтез...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509394
Дата охранного документа: 10.03.2014
27.05.2014
№216.012.c8b4

Керамический композиционный материал и способ его получения

Изобретение относится к области керамики и, в частности, к композиционному материалу и способу его получения. Керамический композиционный материал включает матрицу из оксида алюминия, легированного оксидом магния, и многослойные углеродные нанотрубки при следующем соотношении компонентов, об.%:...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002517146
Дата охранного документа: 27.05.2014
20.11.2014
№216.013.08af

Способ получения термоэлектрического материала n-типа на основе тройных твердых растворов mgsisn

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к производству термоэлектрических материалов (ТЭМ) n-типа проводимости на основе тройного твердого раствора MgSiSn. Может использоваться при изготовлении среднетемпературных термоэлектрических генераторов возобновляемой энергии,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002533624
Дата охранного документа: 20.11.2014
27.11.2014
№216.013.0a8a

Способ получения крупногабаритных малодислокационных монокристаллов антимонида галлия

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, которые используются в качестве подложечного материала в изопериодных гетероструктурах на основе тройных и четверных твердых растворов в системах Al-Ga-As-Sb и In-Ga-As-Sb, позволяющих создавать широкую гамму...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534106
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0b60

Способ получения нанопорошков индивидуальных оксидов лантаноидов

Изобретение относится к гидрометаллургии лантаноидов, а именно к получению кристаллических нанопорошков оксидов лантаноидов. Способ получения порошков индивидуальных оксидов лантаноидов включает осаждение соли лантаноидов из азотнокислых растворов твердой щавелевой кислотой при непрерывном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534320
Дата охранного документа: 27.11.2014
+ добавить свой РИД