×
10.08.2013
216.012.5e54

Результат интеллектуальной деятельности: ГЕРМЕТИЧНЫЙ КОРПУС ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА ИЛИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002489769
Дата охранного документа
10.08.2013
Аннотация: Изобретение относится к области конструирования изделий электронной техники с улучшенными техническими характеристиками и повышенной помехозащищенностью, предназначенных для поверхностного монтажа на плату. Изобретение обеспечивает герметичность корпуса, улучшение его электрорадиоэкранирующих характеристик, обеспечение возможности использования корпуса для поверхностного монтажа БИС СВЧ-диапазона с улучшенными техническими характеристиками и большим количеством выводов. В герметичном корпусе для полупроводникового прибора или интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащем керамическое основание, герметично соединенный с ним ободок и прилегающую герметично к ободку металлическую крышку, внешние и внутренние металлизированные контактные площадки, расположенные по периферии соответственно на внешней и внутренней стороне керамического основания, электрически соединенные попарно посредством металлических проводников, расположенных внутри керамического основания, керамическое основание выполнено многослойным, а ободок выполнен из металла, в центральной части внешней и внутренней стороны керамического основания размещены центральные металлизированные «земляные» площадки, на внешней стороне керамического основания по периферии также расположены внешние «земляные» металлизированные контактные площадки, а часть расположенных по периферии электрически попарно соединенных между собой внутренних и внешних контактных площадок дополнительно электрически соединена с внешними «земляными» контактными площадками, центральными «земляными» контактными площадками и металлическим ободком. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области конструирования изделий электронной техники с улучшенными техническими характеристиками и повышенной помехозащищенностью, предназначенных для поверхностного монтажа на плату.

Известен корпус для полупроводниковых приборов, предназначенный для поверхностного монтажа, содержащий кристаллодержатель из металлокерамического основания, керамического каркаса и изолированных планарных выводов (Патент RU 86048 U1).

Недостатком данной конструкции является слабая электрорадиоэкранировка корпуса, что не позволяет его использовать в изделиях СВЧ-диапазона.

Наиболее близким аналогом является герметичный корпус интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащий металлическое основание, расположенную на нем одной своей стороной с внешними выводами диэлектрическую пластину с микрополосковыми линиями на ее противоположной стороне по периферии для электрического соединения с интегральной схемой СВЧ-диапазона, которые электрически соединены с внешними выводами посредством сквозных металлических проводников в диэлектрической пластине, и крышку, герметично соединенную по периметру с диэлектрической пластиной, отличающийся тем, что в центре диэлектрической пластины выполнено отверстие для размещения в нем интегральной схемы СВЧ-диапазона заподлицо с поверхностью диэлектрической пластины с микрополосковыми линиями с возможностью теплового контакта интегральной схемы СВЧ-диапазона с основанием и с зазором между стенками указанного отверстия и указанной интегральной схемой СВЧ-диапазона не более 250 мкм, а сквозные металлические проводники диэлектрической пластины выполнены с диаметром в поперечном сечении, который составляет 0,1-1,0 от ширины микрополосковой линии диэлектрической пластины, причем металлическое основание расположено в одной плоскости с внешними выводами, выполнено толщиной 0,03-1,5 мм с возможностью перекрытия отверстия диэлектрической пластины, величина которого составляет 0,1-1,5 мм, и герметично соединено с диэлектрической пластиной (Патент RU 2079931). Такой корпус может быть использован и для полупроводниковых приборов.

Недостатком известного корпуса являются недостаточная герметичность, низкие электрорадиоэкранирующие характеристики, ограниченные конструктивные возможности при увеличении количества выводов, конструкция не интегрируется с технологией поверхностного монтажа.

Техническим результатом изобретения является обеспечение достаточной герметичности корпуса, улучшение его электрорадиоэкранирующих характеристик, обеспечение возможности использования корпуса для поверхностного монтажа БИС СВЧ-диапазона с улучшенными техническими характеристиками и большим количеством выводов.

Указанный технический результат обеспечивается тем, что в герметичном корпусе для полупроводникового прибора или интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащем керамическое основание, герметично соединенный с ним ободок и прилегающую герметично к ободку металлическую крышку, внешние и внутренние металлизированные контактные площадки, расположенные по периферии соответственно на внешней и внутренней стороне керамического основания, электрически соединенные попарно посредством металлических проводников, расположенных внутри керамического основания, керамическое основание выполнено многослойным, а ободок выполнен металлическим, в центральной части внешней и внутренней стороны керамического основания размещены центральные металлизированные «земляные» площадки, на внешней стороне керамического основания по периферии также расположены внешние «земляные» металлизированные контактные площадки, а часть расположенных по периферии электрически попарно соединенных между собой внутренних и внешних контактных площадок дополнительно электрически соединена с внешними «земляными» контактными площадками, центральными «земляными» контактными площадками и металлическим ободком, все электрически соединенные контактные площадки соединены посредством металлических проводников, расположенных внутри керамического основания.

Кроме того, все внешние контактные площадки, электрически соединенные с центральными «земляными» площадками могут быть размещены равномерно по периметру основания корпуса, и их количество составляет не менее восьми.

А электрически соединенные между собой контактные площадки и металлический ободок могут быть соединены посредством металлизации слоев и/или отверстий многослойного керамического основания.

На фиг.1 представлены вид сверху (без крышки), разрез и вид снизу герметичного квадратного корпуса 5×5 для интегральной микросхемы с 32-мя выводами.

На фиг.2 изображен вид сверху и разрез нижнего слоя герметичного корпуса.

Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы СВЧ-диапазона содержит многослойное керамическое основание 1 (фиг.1), состоящее из четырех слоев, герметично соединенный с ним металлический ободок 2 и прилегающую герметично к металлическому ободку металлическую крышку 3.

На внешней 4 и внутренней 5 стороне керамического основания 1 расположены по периферии тридцать две внешние и тридцать две внутренние металлизированные контактные площадки, электрически соединенные попарно между собой посредством металлических проводников - металлизированных отверстий 15, а также металлизации слоев 14, расположенных внутри керамического основания 1.

В центральной части внешней 4 и внутренней 5 стороны керамического основания 1 расположены внешние и внутренние центральные металлизированные «земляные» площадки 6 и 7, электрически соединенные между собой равномерно посредством металлических проводников - двадцати пяти металлизированных отверстий 8, расположенных внутри керамического основания 1.

На внешней 4 стороне керамического основания 1 также по периферии (по углам) расположены четыре внешние «земляные» металлизированные контактные площадки 9.

Четыре пары расположенных по периферии электрически соединенных между собой внутренних 10 и внешних 11 контактных площадок, а также четыре внешние «земляные» металлизированные контактные площадки 9 электрически соединены с внутренней центральной «земляной» площадкой 7 и металлическим ободком 2 посредством металлических проводников - металлизированных отверстий 12 (фиг.1, фиг.2), а также металлизации слоев 13, расположенных внутри керамического основания 1.

Четыре внешние «земляные» металлизированные контактные площадки 9 также электрически соединены с металлическим ободком посредством металлизированных отверстий 12, расположенных внутри керамического основания 1, а также металлизации верхнего слоя 16 керамического основания 1

Восемь внешних контактных площадок 9 и 11 размещены преимущественно равномерно по периметру основания корпуса 1.

Реализовать такую конструкцию можно по технологии многослойного керамического производства при предварительном формировании топологии на каждом из слоев на сырой керамике и последующем одновременном обжиге всей многослойной конструкции основания корпуса. В многослойной керамической технологии при формировании топологии корпуса и организации внутренних металлизированных связей используются сырые керамические пленки толщиной 0,1-0,2 мм.

Пример. При изготовлении 5-слойной конструкции корпуса для поверхностного монтажа интегральной схемы СВЧ-диапазона реализовывается следующий технологический цикл. Из шликера, приготовленного на основе порошка ВК-94-1, отливается керамическая пленка толщиной 0,2 мм. На заготовках из сырых керамических карт предварительно формируют требуемую конструкцией корпуса для каждого слоя свою топологию, используя стандартные операции пробивки сырых керамических карт и металлизации по трафаретам и шаблону. В данном случае для изготавливаемого корпуса внутренняя сторона основания корпуса по контуру имеет металлизированные отверстия 15. Из них восемь металлизированных отверстий 12 соединены посредством соответствующей металлизации слоя с внутренней центральной металлизированной «земляной» площадкой 7, предназначенной для размещения кристалла интегральной схемы СВЧ-диапазона, а также соединены с внешними изолированными «земляными» площадками 9 и через внутренние связи в следующих керамических слоях соединяются с ободком 2 и крышкой 3. Следующий керамический слой, содержащий изолированные внутренние контактные площадки, позволяет организовать требуемую разводку «заземляющих» и сигнальных связей кристалла интегральной схемы. Для уменьшения индуктивности связей внутренняя металлизированная «земляная» площадка 7 имеет металлизированные отверстия 8 и равномерно соединена с внешней центральной «земляной» площадкой 6. После подготовки отдельных керамических слоев они совмещаются, пакетируются и обжигаются в едином технологическом цикле в инертной и восстановительной атмосфере с максимальной температурой до 1580°C.

Таким образом, образуется монолитная герметичная конструкция металлокерамического корпуса, в которой реализуется замкнутый электрорадиоэкран, что обеспечивает повышенную помехозащищенность интегральной схемы СВЧ-диапазона.

Форма и размеры металлокерамического корпуса могут быть различными (квадратной или прямоугольной), и в каждом конкретном случае определяются формой кристалла интегральной схемы или полупроводникового прибора и количеством их выводов.

Такая герметичная конструкция металлокерамического корпуса может быть использована для поверхностного монтажа интегральных схем с большим количеством выводов.


ГЕРМЕТИЧНЫЙ КОРПУС ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА ИЛИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА
ГЕРМЕТИЧНЫЙ КОРПУС ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА ИЛИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-14 of 14 items.
26.08.2017
№217.015.e54d

Теплоотводящий элемент

Изобретение относится к теплоотводящим элементам. Указанный элемент состоит из пластины, выполненной из композитного материала, обладающего высокой теплопроводностью, причем на сторонах пластины нанесены электроизоляционные слои. Электроизоляционные слои покрыты слоями металлов, обладающих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002413329
Дата охранного документа: 27.02.2011
20.01.2018
№218.016.1d9e

Псевдоморфное коммутирующее устройство на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640966
Дата охранного документа: 12.01.2018
20.01.2018
№218.016.1e2b

Псевдоморфный ограничитель мощности на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640965
Дата охранного документа: 12.01.2018
19.06.2019
№219.017.88d9

Теплоотводящий элемент

Изобретение относится к области электроники и предназначено преимущественно для использования в качестве теплоотводящей электроизолирующей подложки при изготовлении полупроводниковых приборов и электронных систем. Техническим результатом изобретения является улучшение изолирующих свойств,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002411609
Дата охранного документа: 10.02.2011
Showing 11-16 of 16 items.
26.08.2017
№217.015.e54d

Теплоотводящий элемент

Изобретение относится к теплоотводящим элементам. Указанный элемент состоит из пластины, выполненной из композитного материала, обладающего высокой теплопроводностью, причем на сторонах пластины нанесены электроизоляционные слои. Электроизоляционные слои покрыты слоями металлов, обладающих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002413329
Дата охранного документа: 27.02.2011
20.01.2018
№218.016.1d9e

Псевдоморфное коммутирующее устройство на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640966
Дата охранного документа: 12.01.2018
20.01.2018
№218.016.1e2b

Псевдоморфный ограничитель мощности на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640965
Дата охранного документа: 12.01.2018
18.05.2018
№218.016.5121

Многоканальное коммутирующее устройство свч с изолированными электродами

Изобретение относится к полупроводниковым изделиям, предназначенным для СВЧ управляющих устройств. Сущность изобретения заключается в том, что коммутирующее устройство СВЧ с изолированными электродами изготовлено на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002653180
Дата охранного документа: 07.05.2018
13.11.2018
№218.016.9ca5

Свч переключатель с изолированными электродами

Использование: для создания нового поколения СВЧ элементной базы и МИС СВЧ на основе графена. Сущность изобретения заключается в том, что переключатель СВЧ изготовлен на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно размещены слой оксида кремния (SiO),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672159
Дата охранного документа: 12.11.2018
19.06.2019
№219.017.88d9

Теплоотводящий элемент

Изобретение относится к области электроники и предназначено преимущественно для использования в качестве теплоотводящей электроизолирующей подложки при изготовлении полупроводниковых приборов и электронных систем. Техническим результатом изобретения является улучшение изолирующих свойств,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002411609
Дата охранного документа: 10.02.2011
+ добавить свой РИД