×
19.06.2019
219.017.88d9

Результат интеллектуальной деятельности: ТЕПЛООТВОДЯЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002411609
Дата охранного документа
10.02.2011
Аннотация: Изобретение относится к области электроники и предназначено преимущественно для использования в качестве теплоотводящей электроизолирующей подложки при изготовлении полупроводниковых приборов и электронных систем. Техническим результатом изобретения является улучшение изолирующих свойств, повышение теплопроводности и механической прочности теплоотводящего элемента. Сущность изобретения: теплоотводящий элемент состоит из пластины, выполненной на основе карбида кремния, и пластины, выполненной на основе нитрид-алюминиевой керамики, соединенных между собой эвтектической пайкой металлами, обладающими высокой теплопроводностью. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области электроники и предназначено преимущественно для использования в качестве теплоотводящей электроизолирующей подложки при изготовлении полупроводниковых приборов и электронных устройств.

Известен теплоотводящий элемент, выполненный из нитрид-алюминиевой керамики (Балкевич В.Л. Техническая керамика, 2-е изд., 1984, с.234, таблица 50; патент US №5320990, С04В 35/581, публ. 1994 г.).

Коэффициент теплопроводности нитрид-алюминиевой керамики 66-285 Вт/м·К, электрическая прочность - 16 кВ/мм, механическая прочность на статический изгиб - 270 МПа, удельное электрическое сопротивление - 2-1012 Ом·м, температурный коэффициент линейного расширения - (4,8-5,64)·10-6К-1, плотность 3,2-3,3 г/см3.

Достоинства:

- высокая диэлектрическая прочность;

- высокое электрическое сопротивление;

- низкий температурный коэффициент линейного расширения;

- низкий удельный вес;

- низкие диэлектрические потери.

Недостатками указанного элемента являются:

- недостаточно высокая теплопроводность;

- недостаточно высокие изолирующие свойства;

- недостаточно высокая механическая прочность на изгиб.

Техническим результатом, который можно получить при осуществлении изобретения, является улучшение изолирующих свойств, повышение теплопроводности и механической прочности теплоотводящего элемента.

Технический результат достигается тем, что теплоотводящий элемент состоит из пластины, выполненной на основе карбида кремния, и пластины, выполненной на основе нитрид-алюминиевой керамики, соединенных между собой эвтектической пайкой металлами, обладающими высокой теплопроводностью.

Технический результат достигается и тем, что предварительно одну из поверхностей каждой пластины последовательно металлизируют слоем металла, обладающего адгезией с материалом пластин, например хрома, молибдена, титана или вольфрама, а затем прижимают пластины металлизированными поверхностями друг к другу и спекают при температуре 200-700°С в среде азота.

Технический результат достигается также и тем, что на одну из поверхностей теплоотводящего элемента наносят изолирующий слой поликристаллического алмаза, после чего на слой поликристаллического алмаза и на непокрытую поверхность другой пластины наносят слой металла, обладающего адгезией с поликристаллическим алмазным покрытием или с материалом пластины, соответственно, например хрома, молибдена, титана или вольфрама.

На слои металлов, обладающих адгезией с поликристаллическим алмазным покрытием и с материалом пластины, соответственно последовательно наносят слой никеля или платины и слой металла или сплава, обеспечивающего надежный контакт и высокую кондуктивную теплопроводность к теплосъемнику, например алюминия, серебра, золота или их сплавов.

На фиг.1 представлены исходные пластины на основе карбида кремния и на основе нитрид-алюминиевой керамики, металлизированные с одной стороны.

На фиг.2 - конструкция теплоотводящего элемента после спекания.

На фиг.3 - теплоотводящий элемент.

Теплоотводящий элемент изготавливают следующим способом.

Сначала изготавливают пластину из карбида кремния 1 с достаточно высокой теплопроводностью (не менее 100 Вт/м·К), например, способом, аналогичным описанному в патенте РФ 2173307, подготавливают пористую карбидокремниевую заготовку. Далее полученную заготовку подвергают термообработке в среде углеводорода или смеси углеводородов при температуре, превышающей температуру их разложения. После высокотемпературной обработки (не менее 1300-1500°С) полученную заготовку пропитывают расплавом металла или сплава металлов из группы: алюминий, магний, и известными технологическими приемами резки, шлифовки, полировки изготавливают пластину толщиной не менее 100 мкм. Минимальная толщина пластины определяется механической прочностью конструкции, максимальная ограничивается суммарными диэлектрическими потерями теплоотводящего элемента, поэтому толщина пластин не превышает 200-1000 мкм.

Затем изготавливают пластину из керамики на основе нитрида алюминия 2. Керамические заготовки нитрида алюминия в виде пластин толщиной 1 мм изготавливают из исходного порошка нитрида алюминия с размером частиц 4-5 мкм спеканием при высоком давлении и температуре (усилие не менее 5-10 МН).

После этого на одну из поверхностей каждой пластины последовательно наносят слой металла 3, обладающего адгезией с материалом пластин, например хрома, молибдена, титана или вольфрама, используя любые известные методы: гальванический, напыление, нанесение пасты, и для обеспечения эвтектического спекания - дополнительные слои металлов: никеля или платины и алюминия, серебра или золота (или их сплавов).

После этого пластины прижимают друг к другу металлизированными поверхностями и спекают при температуре 200-700°С в среде азота.

В результате этого происходит процесс эвтектической пайки пластин с помощью нанесенных на них металлов.

При необходимости, если изолирующие свойства у теплоотводящего элемента недостаточны, то на одну из его поверхностей, например на пластину из карбида кремния 1, наносят изолирующий слой поликристаллического алмаза 4 толщиной 1 мкм методом лазерного ионно-лучевого распыления графита из газовой фазы.

На слой поликристаллического алмаза 4 и на непокрытую поверхность другой пластины 2 наносят слой металла 5, обладающего адгезией с поликристаллическим алмазным покрытием и с материалом пластины, соответственно, например, хрома, молибдена, титана или вольфрама, используя любые известные методы: гальванический, напыление, нанесение пасты.

Затем проводится операция «вжигание» металлизации в среде азота при температуре 200-700°С.

При необходимости наносят дополнительные слои металлов: слой 6 никеля или платины и слой 7 алюминия, серебра или золота (или их сплавов) для обеспечения надежного контакта и кондуктивной теплопроводности от электронного компонента к поверхности теплосъемника.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-2 of 2 items.
10.08.2013
№216.012.5e54

Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к области конструирования изделий электронной техники с улучшенными техническими характеристиками и повышенной помехозащищенностью, предназначенных для поверхностного монтажа на плату. Изобретение обеспечивает герметичность корпуса, улучшение его электрорадиоэкранирующих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489769
Дата охранного документа: 10.08.2013
26.08.2017
№217.015.e54d

Теплоотводящий элемент

Изобретение относится к теплоотводящим элементам. Указанный элемент состоит из пластины, выполненной из композитного материала, обладающего высокой теплопроводностью, причем на сторонах пластины нанесены электроизоляционные слои. Электроизоляционные слои покрыты слоями металлов, обладающих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002413329
Дата охранного документа: 27.02.2011
Showing 1-10 of 16 items.
10.08.2013
№216.012.5e54

Герметичный корпус для полупроводникового прибора или интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к области конструирования изделий электронной техники с улучшенными техническими характеристиками и повышенной помехозащищенностью, предназначенных для поверхностного монтажа на плату. Изобретение обеспечивает герметичность корпуса, улучшение его электрорадиоэкранирующих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489769
Дата охранного документа: 10.08.2013
10.06.2014
№216.012.cdf7

Свч-транзистор

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. СВЧ-транзистор содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002518498
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d023

Мощный транзистор свч с многослойной эпитаксиальной структурой

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ с многослойной эпитаксиальной структурой содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519054
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d024

Мощный транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиальную структуру на основе широкозонных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519055
Дата охранного документа: 10.06.2014
27.11.2014
№216.013.0bda

Способ изготовления мощного свч-транзистора

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Способ изготовления мощного СВЧ-транзистора включает нанесение на фланец слоя припоя, формирование пьедестала, нанесение подслоя, обеспечивающего крепление кристалла транзистора к пьедесталу, формирование на базовой подложке из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534442
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.08.2015
№216.013.69d8

Органичитель мощности свч

Использование: для изготовления полупроводниковых изделий. Сущность изобретения заключается в том, что ограничитель мощности СВЧ включает электроды и емкостные элементы. Емкостные элементы представляют собой конденсаторы, ограничитель мощности СВЧ включает подложку из сапфира, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558649
Дата охранного документа: 10.08.2015
20.09.2015
№216.013.7cc0

Мощный переключатель свч

Изобретение относится к области создания полупроводниковых изделий, а именно к мощному переключателю СВЧ на основе соединения галлия, содержащему подложку, поверх которой размещена эпитаксиальная гетероструктура и барьер Шоттки. Технический результат заключается в уменьшении теплового...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563533
Дата охранного документа: 20.09.2015
10.02.2016
№216.014.c1cc

Коммутирующее устройство свч

Изобретение относится к технике СВЧ. Технический результат - повышение надежности и скорости переключения, увеличение уровня выходной мощности и уровня радиационной стойкости. Для этого коммутирующее устройство СВЧ содержит электроды и емкостной элемент, представляющий собой конденсатор, при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574811
Дата охранного документа: 10.02.2016
10.02.2016
№216.014.c2a0

Мощный переключатель свч

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий. Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре. Для этого переключатель СВЧ содержит подложку, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574810
Дата охранного документа: 10.02.2016
10.02.2016
№216.014.c300

Мощный псевдоморфный переключатель свч

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий. Технический результат - повышение надежности устройства путем снижения влияния DX центров, повышения плотности электронов и устранения деградации в гетероструктуре. Для этого переключатель СВЧ содержит подложку, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574808
Дата охранного документа: 10.02.2016
+ добавить свой РИД