×
27.02.2013
216.012.2ca1

Результат интеллектуальной деятельности: ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к электронной технике, в частности к электронно-оптическим преобразователям инфракрасного излучения с высокой разрешающей способностью. Технический результат: повышение разрешающей способности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Электронно-оптический преобразователь содержит вакуумированную колбу с входным окном, прозрачным в инфракрасной области спектра, фотокатод, создающий поток электронов, пироэлектрическую мишень со сквозными отверстиями, разделенными на дискретные элементы для прохождения электронного потока, управляющий электрод, несущую диэлектрическую пленку и поглощающий слой, включающую пироэлектрический слой, устройство регистрации двумерного электронного изображения, микроканальную пластину - умножитель электронов, выполненный преимущественно из кремния. Пироэлектрический кристалл размещен непосредственно на микроканальной пластине и выполнен толщиной 0,1-5 мкм из пироэлектрического материала, наносимого в вакууме 10-10 мм рт.ст. при температуре подложки 300-400°С. Размеры элементов пироэлектрического кристалла составляет 15-25 мкм. 1 табл., 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к электронно-оптическим преобразователям инфракрасного излучения с высокой разрешающей способностью.

Известен способ изготовления электронно-оптического преобразователя, патент США №5017829, МКИ H01J 31/26, путем применения фотокатода, первой отклоняющей системы, щелевой диафрагмы, второй отклоняющей системы, люминесцентного экрана и двух электронных линз, одна из которых расположена непосредственно у фотокатода, а другая - на выходе из щелевой диафрагмы. Формирование на экране последовательности изображений в форме дискретных кадров осуществляется путем поэлементного пропускания изображения через щель, преобразования его во временную последовательность сигналов и восстановления пространственных распределений на экране с помощью второй линзы и второй отклоняющей системы. Электронно-оптический преобразователь, изготовленный таким способом, ограничивает сигнал и ухудшает электрические характеристики и параметры прибора.

Наиболее близким является электронно-оптический преобразователь по патенту РФ №2160479, МПК H01J 31/52, содержащий в вакуумированной колбе входное окно, прозрачное в инфракрасной области спектра, фотокатод, создающий поток электронов, устройство регистрации двумерного электронного изображения, пироэлектрическую мишень, включающую пироэлектрический слой, управляющий электрод, поглощающий слой, фотокатод выполнен сплошным из материала прозрачного в инфракрасном диапазоне и расположен на входном окне со стороны пироэлектрической мишени, пироэлектрическая мишень дополнительно содержит несущую диэлектрическую пленку, причем пироэлектрический слой, управляющий электрод, несущая диэлектрическая пленка и поглощающий слой пироэлектрической мишени расположены друг за другом по направлению от входного окна к устройству регистрации двумерного электронного изображения, пироэлектрический слой выполнен из отдельных дискретных элементов, управляющий электрод содержит щелевые отверстия, расположенные между дискретными элементами пироэлектрического слоя, несущая диэлектрическая пленка выполнена непрерывной и содержит щелевые отверстия, совпадающие с щелевыми отверстиями управляющего электрода, поглощающий слой выполнен в виде дискретных элементов, по конфигурации совпадающих с дискретными элементами пироэлектрического слоя.

Недостатками этого способа являются:

- низкая технологичность конструкции;

- плохая разрешающая способность;

- высокий уровень фонового сигнала.

Задача, решаемая изобретением: повышение разрешающей способности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.

Указанная задача решается путем последовательного размещения источника электронов, пироэлектрического кристалла и микроканальной пластины с люминесцирующим экраном. Конфигурация пироэлектрического кристалла определяется геометрией входной плоскости микроканальной пластины, на которой формируется пирокристалл.

Предлагаемый электронно-оптический преобразователь содержит в вакуумированной колбе входное окно, прозрачное для ИК-излучения, источник электронов, пироэлектрическую мишень, включающую пироэлектрический слой, управляющий электрод, поглощающий слой, устройство регистрации двумерного электронного изображения, микроканальную пластину - умножитель электронов из кремния. Пироэлектрический кристалл размещают непосредственно на микроканальную пластину и формируют в виде дискретных элементов.

Предлагаемый электронно-оптический преобразователь работает следующим образом.

Катод, расположенный на входном окне, возбуждают источником вспомогательного излучения. Катод создает однородный поток электронов. На пути этого потока электронов находится пироэлектрическая мишень. Прошедший через пироэлектрическую мишень поток электронов попадает на микроканальную пластину - умножитель электронов из кремния. Затем электронный поток попадает на устройство регистрации двумерного электронного изображения (люминофор).

Пироэлектрический кристалл выполнен толщиной 0,1-5 мкм из пироэлектрического материала, наносимого в вакууме 10-5-10-6 мм рт.ст. при температуре подложки 300-400°С. Размеры элементов пироэлектрического кристалла составляет 15-25 мкм.

При нагревании пироэлектрического слоя инфракрасным излучением, сфокусированным в плоскости мишени, внутренняя поляризация пироэлектрического материала изменяется и потенциал на поверхности пироэлектрического слоя изменяется в положительную или отрицательную сторону в зависимости от знака начальной поляризации пироэлектрического материала. Изменение потенциала на поверхности пироэлектрического слоя приводит к изменению количества электронов (фотоэлектронов), которые смогут пройти через пироэлектрическую мишень.

По предлагаемому способу были изготовлены электронно-оптические преобразователи. Результаты обработки представлены в таблице 1.

Таблица 1
Параметры приборов, изготовленных по стандартному способу Параметры приборов, изготовленных по предлагаемому способу
Чувствительность, мК Коэффициент преобразования, отн. ед. Чувствительность, мК Коэффициент преобразования, отн. ед.
30 25000 19 30000
32 24100 21 29800
35 24400 24 29200
37 24600 23 29600
31 24900 22 29500
33 24200 25 29700
35 24700 20 29100
34 24300 21 29400
39 24500 23 29800
40 24100 26 29300
36 24800 24 30000
38 24200 25 29900

Экспериментальные исследования показали, что выход годных приборов увеличивается на 12,5%.

Технический результат: повышение разрешающей способности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов .

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления электронно-оптического преобразования путем размещения пироэлектрического кристалла на микроканальную пластину из кремния позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 52 items.
10.11.2015
№216.013.8ab7

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567118
Дата охранного документа: 10.11.2015
20.12.2015
№216.013.9b97

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Согласно изобретению предложен способ изготовления тонкопленочных транзисторов, включающий процессы формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571456
Дата охранного документа: 20.12.2015
10.04.2016
№216.015.3254

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярных транзисторов с пониженными токами утечек. Изобретение обеспечивает снижение значений токов утечек, повышение технологичности, улучшение параметров приборов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002580181
Дата охранного документа: 10.04.2016
20.04.2016
№216.015.3714

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. Способ изготовления полупроводникового прибора включает процессы легирования, формирование областей истока, стока и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581418
Дата охранного документа: 20.04.2016
20.05.2016
№216.015.3e38

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение токов утечек, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность - полупроводниковый прибор создают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002584273
Дата охранного документа: 20.05.2016
10.06.2016
№216.015.44f1

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: для изготовления полупроводниковых структур с низкой плотностью дефектов и устойчивых к тиристорному эффекту. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает процессы легирования и отжига, в кремниевой пластине области кармана...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586444
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.463d

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с низкой плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры выращивание эпитаксиального слоя SiGeпроизводят со скоростью 10...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586009
Дата охранного документа: 10.06.2016
20.08.2016
№216.015.4ce0

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления силицидных слоев с низким сопротивлением. Задача, решаемая изобретением, - снижение сопротивления, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594615
Дата охранного документа: 20.08.2016
10.08.2016
№216.015.55ac

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов полупроводникового прибора. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение надежности и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002593414
Дата охранного документа: 10.08.2016
13.01.2017
№217.015.6906

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов с пониженным сопротивлением. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют контакты на основе силицида платины. Для этого наносят пленку платины толщиной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591237
Дата охранного документа: 20.07.2016
Showing 11-16 of 16 items.
27.09.2014
№216.012.f77b

Поли-n, n-диаллиллейцин

Изобретение относится к ионогенному водорастворимому полиэлектролиту - поли-N,N-диаллиллейцину, который может быть использован в качестве флокулянтов, коагулянтов, структураторов почв, пролонгаторов лекарственных средств. Поли-N,N-диаллиллейцин имеет следующую формулу: где n=100-112....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529192
Дата охранного документа: 27.09.2014
27.12.2014
№216.013.13ba

Галогенсодержащие полиариленэфиркетоны

Настоящее изобретение относится к полиариленэфиркетонам блочного строения. Описаны полиариленэфиркетоны формулы ,где n=1-20; m=2-50. Технический результат - получение полиариленэфиркетонов, обладающих высокой тепло-, термо-, огне- и химстойкостью, а также высокими механическими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536474
Дата охранного документа: 27.12.2014
27.12.2014
№216.013.15a9

Полимерный композиционный материал и способ его получения

Изобретение относится к полимерным композиционным материалам, в частности к углепластикам на основе полисульфона, которые применяются в авиа-, вертолето- и автомобилестроении. Задача настоящего изобретения заключается в получении композиционного материала на основе полисульфона, армированного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536969
Дата охранного документа: 27.12.2014
10.01.2015
№216.013.174f

Сополимер на основе n,n-диаллиламинобутандиовой кислоты и винилацетата

Изобретение относится к ионогенным полиэлектролитам диаллильной природы. Описан сополимер N,N-диаллиламинобутандиовой кислоты (ДААсК) с винилацетатом (BA) формулы, представленной ниже, где 0.1≤m≤0.9; 0.1≤n≤0.9; z=80-150, в качестве полиэлектролита диаллильной природы. Формула: Технический...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537395
Дата охранного документа: 10.01.2015
20.04.2015
№216.013.4515

Полигидроксиэфир

Изобретение относится к полигидроксиэфирам. Описан полигидроксиэфир на основе 3,3-диаллил-4,4-диоксидифенилпропана общей формулы: где n=70-180. Технический результат - полигидроксиэфир, обладающий улучшенными значениями прочностных и термических характеристик, адгезии, а также стойкости к воде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002549183
Дата охранного документа: 20.04.2015
10.11.2015
№216.013.8afd

Прибор для определения электрического сопротивления щелочных металлов и их сплавов

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, а именно к приборам и устройствам для исследования электрофизических свойств жидкометаллических растворов. Прибор для измерения электросопротивления щелочных металлов и их сплавов в полном концентрационном интервале составов состоит из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567188
Дата охранного документа: 10.11.2015
+ добавить свой РИД