×
20.02.2013
216.012.287b

СПОСОБ ДИФФУЗИИ БОРА В КРЕМНИЙ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002475883
Дата охранного документа
20.02.2013
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии создания полупроводниковых приборов, в частности к области конструирования и производства мощных биполярных кремниевых СВЧ-транзисторов. Техническим результатом изобретения является воспроизводимость процесса диффузии бора в кремний. Сущность изобретения: в способе диффузии бора в кремний после хранения окисленных пластин BN в атмосфере воздуха, содержавшего ненасыщающие пары воды, перед размещением этих пластин и пластин кремния в кварцевой лодочке окисленные пластины BN травят в концентрированной HF 30-60 секунд, промывают в потоке деионизованной воды 10-15 секунд, удаляя наиболее гигроскопичные соединения бора, отжигают в нейтральной среде при температуре диффузии бора, в диапазоне 930-1000°С, не менее 30 минут, затем в атмосфере сухого кислорода вновь отжигают при той же температуре не менее 30 минут, загружают в лодочку с обработанными пластинами BN пластины кремния и проводят диффузию бора в кремний. 1 табл.
Основные результаты: Способ диффузии бора в кремний, включающий предварительное хранение в атмосфере воздуха, содержащего ненасыщающие пары воды, окисленных пластин BN, использованных в предыдущем процессе диффузии бора, размещение их и кремниевых пластин в кварцевую лодочку и проведение диффузии бора в кремниевые пластины, отличающийся тем, что окисленные пластины BN перед их размещением травят в концентрированной HF 30-60 с, промывают в потоке деионизованной воды 10-15 с, удаляя наиболее гигроскопичные соединения бора, отжигают в нейтральной среде при температуре диффузии бора в диапазоне 930°С-1000°С не менее 30 мин, затем отжигают при той же температуре не менее 30 мин в атмосфере сухого кислорода.
Реферат Свернуть Развернуть

Предлагаемое изобретение относится к технологии создания полупроводниковых приборов.

Известен способ диффузии бора в кремний с подготовкой источника для диффузии бора, заключающийся в окислении пластин BN в сухом кислороде и хранении их перед диффузией бора в трубе диффузионной печи в атмосфере нейтрального газа при умеренно повышенной температуре [1]. Несмотря на то что в сухом кислороде нитрид бора при окислении должен превращаться в В2О3, в работе [1] показано, что образующийся носитель бора представляет собой пары НВО2, в то время как упругость паров В2О3 при использовании реальных температур для диффузии ничтожна.

Недостатком такого способа является неэффективность использования диффузионного оборудования, в котором хранятся окисленные пластины BN между процессами диффузии бора.

Более принципиальным недостатком является то, что высокая равномерность и воспроизводимость величины Rs диффузионного слоя реализуется в узком диапазоне режимов диффузии. В частности, после проведения достаточно высокотемпературного и длительного режима диффузии нарушается воспроизводимость величины Rs в заданном стандартном режиме диффузии бора, что находит выражение в повышении величины Rs, достигаемой в этом режиме.

Прототипом предлагаемого изобретения является способ диффузии бора, описанный в работе [2]. Он отличается тем, что в нем не используется какой-либо специфический способ хранения окисленных пластин BN. Пластины BN хранились в обычной атмосфере воздуха, содержащего ненасыщающие пары воды. Перед процессом диффузии бора пластины BN окислялись в сухом кислороде при температуре 950°С без какой-либо иной обработки после предшествующего процесса диффузии бора. В результате диффузии бора достигалась высокая равномерность величины Rs диффузионных слоев.

Однако невоспроизводимость величины Rs существует, особенно при относительно низкотемпературных процессах диффузии. Это связано с тем экспериментальным фактом, что с увеличением времени хранения окисленных пластин BN в атмосфере воздуха, содержащего ненасыщающие пары воды, толщина слоя носителя бора, осаждающегося на поверхности кремниевых пластин в стандартном процессе диффузии бора, увеличивается. Это полностью противоречит представлению авторов работы [2] о том, что носителем бора является В2О3. В отличие от аналога [1] хранение окисленных пластин BN во влажном воздухе приводит к поглощению влаги из воздуха. При этом могут образовываться различные соединения:

В2О32О→2HBO2

2О3+H2O→H2B4O7

При высокой температуре существует три устойчивых носителя бора: B2O3, H2B4O7 и НВО2. При этом упругость паров В2О3 при высокой температуре ничтожна, упругость паров HBO2 - наибольшая, а упругость паров H2B4O7 имеет промежуточное значение, то есть упругостью паров В2О3 можно пренебречь, что подтверждено в работе [1], а упругость паров H2B4O7 не настолько мала, чтобы ей можно было пренебречь.

Таким образом, наличие практически двух различных по упругости паров носителей бора (H2B4O7 и НВО2) должно быть потенциальной причиной невоспроизводимости суммарной упругости паров смеси этих молекул при изменении соотношения их концентраций в испаряемом носителе бора.

Техническим результатом изобретения является воспроизводимость процесса диффузии бора в кремний.

Предлагаемый способ диффузии бора в кремний с использованием окисленных платин BN обеспечивает перенос бора на пластины кремния преимущественно молекулами H2B4O7, позволяет исключить заклеивание окисленных пластин BN и пластин кремния в кварцевой лодочке и обеспечивает возможность формирования в пластинах кремния p+-слоев со значениями Rs от 30 Ом/□ до 100 Ом/□ при равномерности и воспроизводимости величины Rs с отклонением от среднего значения не более ±5% при минимальной затрате времени на весь процесс.

Технический результат достигается тем, что после хранения окисленных пластин BN в атмосфере воздуха, содержавшего ненасыщающие пары воды, перед размещением этих пластин и пластин кремния в кварцевой лодочке окисленные пластины BN травят в концентрированной HF 30-60 секунд, промывают в потоке деионизованной воды 10-15 секунд, удаляя наиболее гигроскопичные соединения бора (HBO2 и Н3ВО3), отжигают в нейтральной среде при температуре диффузии бора, в диапазоне 930-1000°С, не менее 30 минут, затем в атмосфере сухого кислорода вновь отжигают при той же температуре не менее 30 минут, загружают в лодочку с обработанными пластинами BN пластины кремния и проводят диффузию бора в кремний.

Очевидно, что воспроизводимое значение упругости паров носителя бора в источнике, представляющем собой результат окисления поверхности пластин BN, может быть достигнуто при таком способе подготовки пластин BN, когда упругость паров носителя бора обеспечивается одним типом молекул носителя бора. Если учесть, что пластины BN, получаемые прессованием, имеют пористую структуру, которая может поглощать атмосферную влагу, то единственным носителем бора, получаемым при высокотемпературном нагреве, свободным от присутствия второго носителя бора, может быть H2B4O7, поскольку при нагреве НВО2 испаряется значительно быстрее, чем H2B4O7.

При реальном хранении окисленных пластин BN в атмосфере, содержащей ненасыщающие пары воды, на поверхности пластин BN содержится не только смесь молекул HBO2 и H2B4O7, но и Н3ВО3, образующиеся при нормальной температуре в соответствии с реакцией

HBO2+H2O→Н3ВО3

В процессе термообработки окисленных пластин BN при температуре выше 185°С Н3ВО3, разлагаясь, выделяет воду, которая на границе с В2О3 создает молекулы НВО2, увеличивая концентрацию этих молекул, а с поверхности окисленного слоя молекулы воды испаряются. По этой причине при длительном хранении окисленных пластин BN в указанной атмосфере концентрация молекул НВО2 при нагреве пластин возрастает. При этом происходит увеличение упругости паров HBO2 при высокой температуре и увеличение толщины осажденного на кремниевые пластины и на поверхность кварцевой лодочки слоя носителя бора как при окислении хранившихся пластин BN, так и в процессе диффузии бора. Усиленное осаждение паров HBO2 на кварцевую лодочку и на пластины кремния приводит к заклеиванию пластин кремния и пластин BN в лодочке, что недопустимо.

В предлагаемом способе диффузии бора в кремний с поверхности пластин BN травлением убираются такие соединения бора, как Н3ВО3; HBO2 и H2B4O7, расположенные на подслое B2O3, а затем формируется слой, состоящий преимущественно из молекул H2B4O7, расположенный на подслое В2О3.

Новизна предлагаемого изобретения заключается в использовании ранее неизвестного носителя бора H2B4O7 вместо его смеси с HBO2 с произвольным их соотношением, создаваемого за счет того, что окисленные пластины BN травят в концентрированной HF 30-60 секунд, промывают в потоке деионизованной воды 10-15 секунд, удаляя наиболее гигроскопичные соединения бора (HBO2 и Н3ВО3), отжигают в нейтральной среде при температуре диффузии бора, в диапазоне 930-1000°С, не менее 30 минут, затем в атмосфере сухого кислорода вновь отжигают при той же температуре не менее 30 минут, загружают в лодочку с обработанными пластинами BN пластины кремния и проводят диффузию бора в кремний.

Изобретательский уровень предлагаемого изобретения подтверждается тем, что специалистам совершенно неочевидна была возможность переноса бора с поверхности окисленных пластин BN каким-либо соединением, кроме НВО2 или В2О3.

Достоверность предлагаемого изобретения следует из сравнения поведения кремниевых пластин после диффузии бора и их выгрузки в атмосферу, содержащую ненасыщающие пары воды.

Если при стандартной подготовке окисленных пластин BN, при хранении их неограниченное время в атмосфере воздуха, содержащего ненасыщающие пары воды, и последующем окислении в сухом кислороде поверхность кремниевых пластин покрывалась в течение 1 минуты «росой» в виде Н3ВО3, получающейся в результате реакции:

HBO2+H2O→Н3ВО3,

то после диффузии бора с использованием предлагаемого способа в течение длительного времени на поверхности кремниевых пластин не наблюдается появления «росы», что свидетельствует о достаточно низкой концентрации молекул НВО2 в осажденном на кремниевые пластины, в том числе и на поверхность SiO2, слое носителя бора.

Эффективность предлагаемого изобретения следует из того, что для воспроизводимости результатов диффузии бора при использовании в качестве источника бора окисленных пластин BN в отличие от аналога не требуется использовать для хранения окисленных пластин круглосуточную их выдержку в диффузионной печи в определенном температурном режиме и при подаче газовой среды, при этом результат текущего процесса диффузии не зависит от режима диффузии предшествующего процесса, в отличие от прототипа процесс диффузии бора воспроизводим при различных температурных режимах.

Использование предлагаемого изобретения с переносом бора преимущественно молекулами H2B4O7 с меньшей упругостью паров, чем при переносе молекулами HBO2, как в аналоге и смеси НВО2 с H2B4O7 при заметной концентрации HBO2, к тому же невоспроизводимой, как в прототипе, позволяет проводить процессы диффузии при упругости паров носителя бора, достаточной для обеспечения равномерности Rs по пластинам и воспроизводимости величины Rs, но гораздо менее избыточной, чем в известных случаях, что приводит к уменьшению толщины слоя боросиликатного стекла на поверхности кремния и на поверхности SiO2, а это очень существенно, так как толщина стравливаемого слоя SiO2 уменьшается не менее чем в два раза.

Меньшая упругость паров H2B4O7 по сравнению с HBO2 делает менее вероятным заклеивание кремниевых пластин и пластин BN в кварцевой лодочке.

Пример. Различные режимы диффузии бора проверялись при использовании в диффузионной печи кварцевой трубы с внутренним диаметром 95 мм, диаметром пластин BN 75 мм, диаметром кремниевых пластин 60 мм. Оптимальный расход нейтрального газа (аргона) при диффузии составляя 70 л/час. Результаты диффузионных процессов приведены в таблице.

Из таблицы видно, что температура, заметно более низкая чем 930°С, практически не может быть использована для формирования p+-слоев, так как величина Rs диффузионных слоев чрезмерно велика и имеет большой разброс вследствие чрезмерно малой толщины боросиликатного стекла на поверхности кремния ввиду малой упругости паров H2B4O7.

При температуре выше 1000°С, в частности при 1050°С, p+-слои реализуются нормально, но использование такого режима создает избыточную толщину боросиликатного стекла, а снижение времени диффузии для снижения толщины стекла уменьшает точность проведения процесса диффузии из-за необходимости контролировать время нагрева и время охлаждения пластин вместе с лодочкой.

В части режимов травления в HF и отмывки пластин в воде после их хранения в атмосфере указанный диапазон времен не требует точного определения границ этих величин по причине нецелесообразности.

Действительно, нижние пределы границ настолько низки, что исследование возможности их дальнейшего снижения не дает полезного результата. А верхняя граница в принципе не может быть определена четко, так как с увеличением времени травления и отмывки увлажнение пористой структуры пластин BN нарастает, что вредно, то есть увеличение значений верхних пределов не имеет логического смысла. Указанные верхние пределы достаточны, чтобы при относительно коротких временах отжигов, указанных в формуле изобретения, получить удовлетворительные результаты формирования p+-областей, как следует из таблицы.

Оптимальный расход газа, зависящий от площади сечения газового потока между стенками диффузионной трубы и краями окисленных пластин BN, выбирают исходя из того, что при малом расходе газа, когда давление в потоке газа в указанном сечении и между пластинами BN отличается мало, у краев пластин накапливается избыточная концентрация молекул носителя бора, что приводит к повышению толщины осаждающегося слоя носителя бора в значительной части периферийной области кремниевых пластин. С повышением расхода газа снижается давление в его потоке и избыточная концентрация молекул носителя бора в районе периферии кремниевых пластин. Оптимальный расход газа выбирают из условия, когда область заметной неравномерности толщины осаждающегося слоя носителя бора сужается до ширины ≤3÷4 мм, где реально не формируются p+-области.

Литература

1. Rupprecht and Stach, J.Electrocem. Soc. V.120, №9 Sept 1973. Окисленные пластины нитрида бора в качестве источника для диффузии бора в кремний.

2. N.Goldsmith, J.Olmstead, J.Scott Jr. RCA Rev. V.XXVIII, №2, 1967, pр.334. Нитрид бора в качестве источника для диффузии в кремний.

Таблица
Tдифф (°С) tпроцесса (мин) tтр,сек tпром, сек Rs (Ом/□) ΔRs/Rs (%) Wб.с.с (мкм) Оптимальный расход газа (л/час)
1 850 20 20 10 370 ±30 ≤0,05 70
2 930 30 30 10 100 ±5 0,1 70
3 930 30 30 15 80 ±5 0,11 70
4 950 30 30 15 55 ±4 0,12 70
5 1000 30 60 15 30 ±4 0,15 70
6 1050 30 80 20 16 ±2 0,22 70

Способ диффузии бора в кремний, включающий предварительное хранение в атмосфере воздуха, содержащего ненасыщающие пары воды, окисленных пластин BN, использованных в предыдущем процессе диффузии бора, размещение их и кремниевых пластин в кварцевую лодочку и проведение диффузии бора в кремниевые пластины, отличающийся тем, что окисленные пластины BN перед их размещением травят в концентрированной HF 30-60 с, промывают в потоке деионизованной воды 10-15 с, удаляя наиболее гигроскопичные соединения бора, отжигают в нейтральной среде при температуре диффузии бора в диапазоне 930°С-1000°С не менее 30 мин, затем отжигают при той же температуре не менее 30 мин в атмосфере сухого кислорода.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-7 of 7 items.
20.03.2019
№219.016.e6e9

Способ изготовления свч мощных полевых ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ мощных полевых LDMOS-транзисторов, включающем формирование первичного защитного покрытия на лицевой стороне исходной кремниевой подложки с верхним высокоомным и нижним...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002364984
Дата охранного документа: 20.08.2009
19.04.2019
№219.017.2ec8

Модуль активной фазированной антенной решетки

Изобретение относится к области радиолокационной техники, в частности к активным фазированным решеткам. Техническим результатом изобретения является возможность создания 4-х канального модуля с малыми габаритными размерами при высокой воспроизводимости электрических характеристик и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002380803
Дата охранного документа: 27.01.2010
19.04.2019
№219.017.304c

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002368031
Дата охранного документа: 20.09.2009
19.04.2019
№219.017.3305

Способ контроля дефектности и упругой деформации в слоях полупроводниковых гетероструктур

Использование: для контроля дефектности и упругой деформации в слоях полупроводниковых гетероструктур. Сущность: заключается в том, что с помощью рентгеновской дифрактометрии при использовании скользящего первичного рентгеновского пучка получают ассиметричное отражение от кристаллографических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002436076
Дата охранного документа: 10.12.2011
09.06.2019
№219.017.7707

Интегральный повторитель напряжения

Изобретение относится к электронике, а именно к повторителям напряжения для усиления тока и преобразования импеданса в цепях электронных устройств, выполненным по интегральной технологии. Технический результат заключается в повышении быстродействия и точности. Устройство содержит первый-третий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002289199
Дата охранного документа: 10.12.2006
29.06.2019
№219.017.9c1a

Фотопреобразователь

Фотопреобразователь содержит диэлектрическую подложку, включенные последовательно слои монокристаллического кремния, с участками различного типа проводимости. Слои монокристаллического кремния толщиной 5-15 мкм расположены планарно на диэлектрической подложке и изолированы друг от друга....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002345445
Дата охранного документа: 27.01.2009
29.06.2019
№219.017.9d63

Фотопреобразователь

Изобретение относится к области производства твердотельных фоточувствительных полупроводниковых приборов, а именно к области производства преобразователей мощности света в электрический ток, и может быть использовано при изготовлении указанных приборов. Фотопреобразователь содержит подложку с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002359361
Дата охранного документа: 20.06.2009
+ добавить свой РИД