Автор РИД: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет имени Ахмата Абдулхамидовича Кадырова"

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким коэффициентом усиления и повышенной радиационной стойкостью. Способ изготовления радиационно стойкого биполярного транзистора включает...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким коэффициентом усиления и повышенной радиационной стойкостью. Способ изготовления радиационно стойкого биполярного транзистора включает...

Изобретение может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Способ увеличения адгезии полупроводниковой структуры включает формирование на пластине кремния областей диоксида кремния и барьерного слоя молибдена. Барьерный слой молибдена наносят толщиной 100 нм с...

Изобретение относится к области кормопроизводства, а именно к способам производства травяной муки. Способ производства травяной муки характеризуется тем, что скошенную и измельченную траву с содержанием влаги 70-80% выгружают в складское помещение, где через вальцовые плющилки подают...