Автор РИД: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского"

Изобретение относится к области радиотехники и нелинейной динамики. Может использоваться в радиотехнических устройствах и системах связи. Кроме того, может использоваться для исследований в области нейродинамики и создания нейроподобных вычислительных систем. Технический результат – обеспечение...

Изобретение относится к получению высокомолекулярных соединений путем фотоинициируемой полимеризации в растворе с использованием облучения светом видимой области спектра и касается способа получения полиметилметакрилата, который может быть использован в производстве органического стекла для...

Настоящее изобретение относится к порошковой металлургии, касается способа получения термоэлектрического материала n-типа проводимости на основе тройного твердого раствора GeSiSb (x=0,26-0,36; δ=0,008-0,01), который может использоваться при изготовлении среднетемпературных термоэлектрических...

Изобретение относится к технологическому оборудованию для вакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых структур и может быть использовано в качестве узла фиксации подложки, нагреваемой с помощью пластинчатого или утолщенного ленточного резистивного нагревателя в вакуумных...

Изобретение относится к рентгеновской оптике и предназначено для управления соответствующей заданному условию сходимости рентгеновского пучка. Управление осуществляется кривизной рабочей поверхности монокристаллической пластины в составе дифракционного блока, образованного указанной пластиной,...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Технический результат от использования предлагаемого способа формирования...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур для приборов электронной техники и может быть использовано для регулирования степени легирования при эпитаксиальном выращивании в вакууме легированных слоев кремния. Техническим результатом является повышение...

Изобретение относится к составной мишени для магнетронного распыления. Мишень содержит плоскую нижнюю базовую часть, изготовленную из первого компонента осаждаемого на подложку материала пленки, и как минимум одну размещенную на указанной нижней базовой части верхнюю накладную часть,...

Использование: для изготовления светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Сущность изобретения заключается в том, что в способе формирования фазы гексагонального кремния путем имплантации в изготовленную из...

Изобретение предназначено для управления сходимостью рентгеновского пучка. Осуществляется управление сходимостью рентгеновского пучка, получаемого в результате облучения исходным рентгеновским пучком дифракционного блока, путем воздействия электрическим полем на пластину пьезоэлемента....