Автор РИД: Бенедиктов Александр Сергеевич

Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковых приборов и сверхбольших интегральных схем на основе кремниевой подложки с использованием скрытого диэлектрика (КНИ), предназначенных для использования в средах с максимальной температурой до 250°С. Сущность изобретения:...

Изобретение относится к области технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем. В способе формирования системы многоуровневой металлизации для высокотемпературных интегральных микросхем, включающем операции нанесения диэлектрических и металлических...