Автор РИД: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, применяемым в электронике. СВЧ фотоприемник лазерного излучения состоит из подложки 1, выполненной из n-GaAs, и последовательно осажденных: слоя тыльного потенциального барьера 2 n-AlGaAs, базового слоя, выполненного из n-GaAs 3, с толщиной...

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания мощного СВЧ фотодетектора на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании многослойной структуры из системы чередующихся слоев AlGaAs...

Изобретение относится к области разработки и изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs. Способ изготовления мощного импульсного фотодетектора, работающего в фотовольтаическом режиме (с нулевым напряжением смещения), на основе GaAs включает последовательное...

Способ изготовления полупроводниковых лазеров содержит этапы, на которых расщепляют лазерную гетероструктуру на линейки полупроводниковых лазеров во внешней атмосфере, обеспечивая грани резонатора, напыляют на внутреннюю поверхность рабочей вакуумной камеры слой алюминия толщиной не менее 50...

Изобретение относится к области разработки и изготовления мощных фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs, в частности к импульсным полупроводниковым сверхвысокочастотным (СВЧ) фотодетекторам. Мощный импульсный СВЧ фотодетектор лазерного излучения на основе гетероструктуры...

Изобретение относится к области получения высокоэффективных волокнистых фильтрующих материалов. Фильтрующий материал представляет собой трехслойную композицию, в которой один из слоев выполнен из полимерных (полиакрилонитрильных) нановолокон, полученных методом электроформования, и размещен...

Изобретение относится к области получения противоаэрозольных фильтров из волокнистых фильтрующих материалов. Фильтрующий слой изготовлен из полиакрилонитрильных нановолокон. Нановолокна получены методом электроформования по технологии Nanospider из раствора полиакрилонитрила с концентрацией...

Изобретение относится к области радиотехники, а именно к радиофотонике, и может быть использовано при конструировании систем возбуждения антенн и активных фазированных антенных решеток (АФАР) для связи, радиолокации, радионавигации и радиоэлектронной борьбы. Фотодетекторный СВЧ модуль включает...

Изобретение относится к области авиационной техники, диагностики технического состояния конструкций из полимерных композиционных, металлических и гибридных материалов с использованием волоконно-оптических акустических средств встроенного контроля. Конструкция высокопрочного датчика деформации...

Изобретение может быть использовано для создания мощных СВЧ фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного СВЧ модуля включает создание на полупроводниковой подложке...