Автор РИД: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн")

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам изготовления трехкаскадных фотопреобразователей. Способ изготовления фотопреобразователя, согласно изобретению, включает формирование контактной металлизации на фронтальной и тыльной поверхностях многослойной...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности, к технологии изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge. Способ изготовления фотопреобразователей на утоняемой германиевой подложке, включает создание на германиевой подложке с...

Изобретение относится к области конструкции и технологии оптоэлектронных приборов. В способе изготовления фотопреобразователя на утоняемой германиевой подложке с выводом тыльного контакта на лицевой стороне полупроводниковой структуры, согласно изобретению включающем: создание на германиевой...

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для совмещения рисунков на фотошаблоне и полупроводниковой пластине в процессе ее фотолитографической обработки и может быть применено при изготовлении фотопреобразователей. Заявленная установка контактной фотолитографии для полупроводниковых...

Способ изготовления стеклянных пластин с утолщенным краем для фотопреобразователей космического назначения относится к электротехнике, в частности, к технологии изготовления солнечных элементов, а именно: к технологии изготовления радиационно-стойкого защитного стекла для фотопреобразователей....

Изобретение относится к солнечной энергетитке, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке. Способ капельного вытравливания контактной площадки встроенного диода фотопреобразователя...

Изобретение относится к электротехнической промышленности и может быть использовано в герметичных аккумуляторах для осуществления сброса (стравливания) давления газообразной среды из литий-ионных аккумуляторов. Технический результат, достигаемый в предлагаемом клапане герметичного литий-ионного...

Использование: для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом содержит столик с посадочным гнездом для размещения полупроводниковой...

Изобретение относится к области конструкции и технологии изготовления оптоэлектронных приборов, а именно к способам изготовления фотопреобразователей на германиевой подложке. Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке заключается в создании на...

Изобретение относится к устройству для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя и может найти применение в электронной технике. Маска в устройстве расположена с лицевой стороны подложки. В корпусе выполнены посадочные гнезда с возможностью фиксирования положения подложки. Маска и...