×

Автор РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН)

Показаны записи 21-30 из 61.
25.08.2017
№217.015.cb29

Способ изготовления суспензии для 2d печати диэлектрических слоев на основе фторографена

Изобретение может быть использовано в электронике при получении прозрачных электродов, дисплеев, беспроводных электронных устройств, элементов памяти, микропроцессоров, электронных паспортов, карточек, сенсоров, биосовместимых электронных имплантов. Сначала подготавливают суспензию графена с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620123
Дата охранного документа: 23.05.2017
25.08.2017
№217.015.bd02

Устройство для усиления сигнала от ячейки матричного фотоприёмника

Изобретение относится к области полупроводниковой, органической и гибридной оптоэлектроники и может быть использовано в системах обработки оптической информации. Техническим результатом изобретения является реализация возможности монолитного изготовления линеек и матриц органических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002616222
Дата охранного документа: 13.04.2017
25.08.2017
№217.015.b05e

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для изготовления фокальных диодных фотоприемных матриц на подложках InSb. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией сначала проводят предварительную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613487
Дата охранного документа: 16.03.2017
25.08.2017
№217.015.aa38

Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта

Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611580
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.aa24

Способ изготовления мдп-структур на основе inas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при их изготовлении на основе МДП-структур на InAs. Подложку InAs подвергают предварительной обработке, включающей очистку поверхности ее от загрязнений и естественного окисла. После чего на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611690
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.a0be

Пироэлектрический детектор миллиметрового излучения (варианты)

Изобретение относится к технике измерений, в частности к измерению интенсивности электромагнитного излучения с пространственным и поляризационным разрешением. Пироэлектрический детектор миллиметрового излучения выполнен на основе пироэлектрической пленки с системой считывания сигнала, в котором...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002606516
Дата охранного документа: 10.01.2017
13.01.2017
№217.015.8a17

Мемристорный элемент памяти

Изобретение относится к микроэлектронике. Мемристорный элемент памяти содержит подложку с расположенным на ее рабочей поверхности проводящим электродом. На указанном проводящем электроде выполнен активный слой из диэлектрика. Второй проводящий электрод расположен на активном слое. Проводящий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602765
Дата охранного документа: 20.11.2016
13.01.2017
№217.015.885f

Кремниевый мультиплексор

Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для считывания электрических сигналов в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников, в частности в фотоприемниках на микроболометрах. Технический результат заключается в обеспечении возможности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602373
Дата охранного документа: 20.11.2016
13.01.2017
№217.015.854e

Способ изготовления активного слоя для резистивной памяти

Изобретение может быть использовано при изготовлении элементов памяти для вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов и карточек. Измельчают природный очищенный графит, в полученный порошок интеркалируют растворитель, не приводящий к химическому окислению графита, но...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603160
Дата охранного документа: 20.11.2016
13.01.2017
№217.015.828b

Способ консервации твердотельной поверхности и консервирующее твердотельную поверхность покрытие

Изобретение относится к технологии изготовления приборов микро- и наноэлектроники. Предложен способ консервации твердотельной поверхности, включающий последовательно осуществляемые стадию предварительной подготовки поверхности к консервации и стадию нанесения консервирующего покрытия. Первую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601745
Дата охранного документа: 10.11.2016
+ добавить свой РИД