Автор РИД: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ)

Использование: для обнаружения и идентификации скрытых опасных предметов. Сущность заключается в том, что образуют и модулируют поток нуклидов водорода, ускоряют их к мишени, генерируют нейтроны на мишени, облучают нейтронами объект контроля, регистрируют гамма-кванты радиационного захвата или...

Изобретение относится к области абсорбционной спектроскопии и может быть использовано для компонентного анализа природного газа и газовых смесей на его основе в реальном масштабе времени. Способ заключается в цикличном во времени или одновременном измерении поглощения излучения анализируемым...

Изобретение относится к области аналитического приборостроения, в частности к определению микроследов опасных веществ - взрывчатых веществ, наркотиков, токсичных веществ и т.п. - при прохождении контрольных пунктов в аэропортах, железнодорожных вокзалах, выставках, при поиске скрытых закладок...

Изобретение относится к области аналитического приборостроения, к спектрометрии обнаружения паров органических веществ в составе воздуха, а также к области газового анализа для определения микроследов опасных веществ - взрывчатых веществ, наркотиков, токсичных веществ и т.п. Способ получения и...

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в вычислительных системах для преобразования двоичных кодов в коды системы остаточных классов (СОК). Техническим результатом является увеличение разрядности преобразуемых в СОК двоичных кодов. Устройство содержит...

Изобретение относится к ядерной физике, а точнее, к способам получения изображений различных объектов с использованием мюонов космических лучей и предназначено для мониторинга состояния и процессов в окружающей среде. Мюоны космических лучей регистрируют одновременно со всех направлений...

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, в частности к области получения тонкопленочных слоев магнитных полупроводников, и может быть использовано при получении интегральных схем. Способ включает формирование на подложке тонкопленочного слоя EuS путем осаждения в...