Автор РИД: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон"

Изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе. Техническим результатом изобретения является уменьшение количества дефектов и повышение качества пленок кремния на изоляторе за счет сохранения качества исходного материала. Сущность изобретения - в...

Изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений. Способ включает помещение полируемой пластины в травящий химический раствор, причем полируемую пластину прикрепляют к...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления многоуровневых межсоединений интегральных микросхем с воздушными зазорами включает формирование на подложке первого проводящего и первого диэлектрического слоев, формирование отверстий в первом диэлектрическом...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления многоуровневых межсоединений интегральных микросхем с пористым диэлектрическим слоем в зазорах между проводниками содержит формирование первого проводящего и первого диэлектрического слоев, формирование...

Использование: в технологии получения многоуровневой разводки интегральных схем. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенной встроенной медной металлизации интегральных схем на подложку наносят диэлектрическую пленку и формируют в диэлектрической пленке канавки различной формы,...

Изобретение относится к микроэлектронике. Проблемы медной металлизации при уменьшении нормы проектирования: высокая дефектность структуры медных проводников и электромиграция по границе меди с окружающими диэлектриками; быстрое повышение удельного сопротивления при уменьшении ширины...

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе: силовых переключателей, схем памяти, сенсорных датчиков, систем обработки информации...

Изобретение относится к микроэлектронике, к способам изготовления штампов для наноимпринт литографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами для использования при изготовлении полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: для уменьшения неровности края воспроизводимого...