Правообладатель РИД: Казалиева Эльмира

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Способ формирования пленки Ti-Ge на поверхности кремниевой пластины включает размещение кремниевой пластины в установке вакуумного напыления и напыления Ti-Ge в...