Правообладатель РИД: Лаврентьев Николай Александрович

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания резистивных одноэлементных фотоприемников различного назначения. Способ изготовления фоточувствительных структур на основе двумерных наночастиц теллурида висмута заключается в...