Правообладатель РИД: Кузнецова Наталья Юрьевна

Изобретение относится к технологии изготовления элементов вакуумной микроэлектроники с автоэмиссионными катодами. Технический результат - повышение точности воспроизведения геометрических размеров катодного узла, стабильности тока и ресурса работы катодного узла при техническом вакууме. Способ...