Правообладатель РИД: ХЕЛЬСПЕР, Мартин (DE)

Изобретение относится к электротехнике, к способам и системам (3) управления MOSFET (1), в частности MOSFET (1), базирующегося на широкозонном полупроводнике. Техническим результатом заявленного изобретения является уменьшение потерь в преобразователе, вызванных обратными токами. Согласно...

Изобретение относится к способу и к системе (3) управления для управления MOSFET (1), в частности MOSFET (1) на основе полупроводника с широкой запрещенной зоной. Технический результат заключается в улучшении обеспечения постоянства поведения MOSFET в режиме переключения при переменных условиях...