Правообладатель РИД: ЯН Сцзу-Нан (TW)

Изобретение относится к электроду, в частности к литиевому электроду, применяемому для литий-ионных вторичных аккумуляторов. Слой электропроводящей конструкции имеет углубление с отверстием с одной стороны, и слой металлического лития расположен в нижней части углубления. Слой твердого...