Правообладатель РИД: Андреева Наталья Владимировна

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллов SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем, в частности, методом высокотемпературного физического газового транспорта. Способ получения...

Использование: для получения монокристаллов SiC. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает сублимацию источника карбида кремния на пластину затравочного монокристалла SiC в присутствии расположенной параллельно ей во внутреннем объеме ростового тигля пленки из карбида...