Правообладатель РИД: Котекин Роман Александрович

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шоттки включает формирование на лицевой стороне полуизолирующей подложки с активным слоем по меньшей мере одной пары единичных электродов истока и стока, с каналом между ними, посредством...