Правообладатель РИД: Мастафаев Арслан Гасанович

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными значениями токов утечек. Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования слоя подзатворного окисла со...