Правообладатель РИД: Бердников Юрий Сергеевич

Изобретение относится к области материаловедения полупроводников и может быть использовано для получения однородных по составу сегментов нитевидных нанокристаллов InGaN. Способ формирования нитевидных нанокристаллов InGaN, где х=0,2-0,8, устойчивых в области метастабильных составов,...