Правообладатель РИД: АКИЯМА, Содзи (JP)

Представлен способ изготовления композитной SiC-подложки, включающей подложку из поликристаллического SiC и слой монокристаллического SiC на ней, включающий стадии, в которых формируют тонкую пленку монокристаллического SiC на одной основной поверхности несущей подложки, механически...

Предоставляется способ изготовления композитной подложки 10 SiC, имеющей монокристаллический слой 12 SiC на поликристаллической подложке 11 SiC, в котором: монокристаллический слой 12 SiC обеспечивается на одной поверхности удерживающей подложки 21, содержащей Si, и подготавливается носитель 14...