Правообладатель РИД: Задорожный Олег Федорович

Изобретение относится к полупроводниковым источникам света на основе гетероструктур типа InGaN/GaN, главным образом к светодиодным источникам. Технический результат достигается тем, что в светодиодной гетероструктуре с квантовыми ямами комбинированного профиля, содержащей подложку из сапфира, с...