Правообладатель РИД: Давыдов Валерий Николаевич

Изобретение относится к полупроводниковым источникам оптического излучения на основе светодиодных нитей - филаментов, изготавливаемых из светодиодных гетероструктур. Заявленный светодиодный источник излучения содержит колбу, заполненную газом, имеющим низкий коэффициент вязкости и высокий...

Изобретение относится к полупроводниковым источникам света на основе гетероструктур типа InGaN/GaN, главным образом к светодиодным источникам. Технический результат достигается тем, что в светодиодной гетероструктуре с квантовыми ямами комбинированного профиля, содержащей подложку из сапфира, с...