Правообладатель РИД: ТАНАКА Риота (JP)

Изобретение относится к полупроводниковому устройству и способу его изготовления. Полупроводниковое устройство содержит первую дрейфовую область (4) с первым типом проводимости, сформированную на первой основной поверхности подложки (1), и вторую дрейфовую область (41) с первым типом...