Правообладатель РИД: КОДЗИМА, Казунобу (JP)

Способ изготовления нитридного полупроводникового излучающего ультрафиолетовое излучение элемента, имеющего пиковую длину волны излучения 285 нм или более короткую, содержит первый этап, на котором формируют слой полупроводника n-типа, состоящий из полупроводника n-типа на основе AlGaN...