Правообладатель РИД: Осипов Артём Арменакович

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, в частности к способу обработки поверхности карбида кремния (SiC). Может быть использовано для создания гладких поверхностей, получаемых в ходе процесса плазмохимического травления. Структуры, созданные на таких поверхностях, широко...