Правообладатель РИД: Шлёнская Наталья Николаевна

Заявляемое изобретение относится к области материаловедения, а именно к способам получения двухслойных структур, состоящих из светопоглощающего слоя галогенидного полупроводника состава АВХ и находящегося в контакте с ним слоя электропроводящего материала, для использования в качестве...

Изобретение относится к области материаловедения, а именно к технологии получения тонких пленок или контактных микропечатных планарных структур галогенидных полупроводников состава АВХ, в том числе с органическими катионами, которые могут быть использованы в качестве светопоглощающего слоя в...