Правообладатель РИД: Клейменкин Дмитрий Владимирович

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков физических величин. Технический результат: повышение предельных значений максимальной скорости нарастания выходного напряжения без...

Предполагаемое изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание радиационно-стойкого и низкотемпературного JFet операционного усилителя. Для этого предложен операционный усилитель с «плавающим» входным дифференциальным каскадом на комплементарных полевых...

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание как инвертирующего, так и неинвертирующего широкополосного усилителя тока на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах, обеспечивающего для разных выходов...

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в качестве активного (усилительного) элемента (трёхполюсника) в различных аналоговых и аналого-цифровых устройствах (активных RC-фильтрах, операционных усилителях, стабилизаторах напряжения, электронных ключах и т.п.)....

Изобретение относится к области электроники и радиотехники. Технический результат: уменьшение входной емкости устройства по первому и второму входам, а также повышение крутизны преобразования входного дифференциального напряжения в выходные токи устройства. Для этого предложен преобразователь...

Изобретение относится к средствам измерительной техники и может использоваться в качестве перестраиваемых ограничителей спектра, включаемых на входе аналого-цифровых преобразователей различного назначения. Технический результат заключается в повышении стабильности реализуемой добротности....

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве двухтактных буферных усилителей и выходных каскадов различных аналоговых устройств. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения...