Правообладатель РИД: НИ Вэй (JP)

Изобретение относится к полупроводниковому устройству и способу его изготовления. Полупроводниковое устройство содержит первую дрейфовую область (4) с первым типом проводимости, сформированную на первой основной поверхности подложки (1), и вторую дрейфовую область (41) с первым типом...

Полупроводниковое устройство включает в себя: канавку электрода затвора, сформированную в контакте с дрейфовой областью, областью кармана и областью истока; электрод затвора, сформированный на поверхности канавки электрода затвора через изолирующую пленку; канавку электрода истока в контакте с...