Правообладатель РИД: Гапиан Эрван Филипп Мари (FR)

Использование: для производства полупроводниковых интегральных схем (ИС), применяемых при создании магнитных ячеек, таких как, например, ячейки магниторезистивной памяти (MRAM) и магнитных сенсоров, работающих на основе эффекта туннельного магнитосопротивления (TMR). Сущность изобретения...

Изобретение относится к области изготовления магнитных тел, в частности к структуре магнитного материала с изменяемой анизотропией формы для возбуждения магнитного поля в заданном направлении, и может быть использовано для изготовления сердечников катушки индуктивности. Технический результат:...