Правообладатель РИД: Шангереев Юсуп Пахрктдинович

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторных приборов, в частности к способам защиты поверхности полупроводниковой структуры от различных внешних воздействий. Сущность способа защиты структур на основе алюмосиликатного стекла заключается в том, что на чистую поверхность...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам защиты поверхности кремниевой структуры от различных воздействий. Сущность способа защиты кремниевых структур на основе свинцово-силикатного стекла заключается в том, что на чистую поверхность...