Правообладатель РИД: Сапего Евгений Николаевич

Изобретение относится к способу получения сегнетоэлектрической пленки Ba-SrTiO и может быть использовано для мощной сверхвысокочастотной техники. На первом этапе распыляют мишень состава BaSrTiO на подложку карбида кремния в атмосфере кислорода при давлении 2 Па и температуре подложки 700-900°С...