Правообладатель РИД: Мирофянченко Екатерина Васильевна

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания резистивных одноэлементных фотоприемников различного назначения. Способ изготовления фоточувствительных структур на основе двумерных наночастиц теллурида висмута заключается в...

Изобретение относится к материаловедению, в частности к области обработки поверхности антимонида индия (InSb) ориентации (100) травителем для создания меза-стуктуры, и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет обеспечить формирование...