Правообладатель РИД: Бобылев Андрей Николаевич

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники. Технический результат заключается в обеспечении высокой степени интеграции элементов, малого энергопотребления и высокого быстродействия устройства. 3D запоминающая матрица на основе комплементарной мемристорно-диодной ячейки,...