Правообладатель РИД: ЦУТИМОТИ Синго (JP)

Изобретение относится к полупроводниковым устройствам. Полупроводниковое устройство включает в себя: изолирующую подложку, включающую в себя изолирующий слой, у которого на обеих поверхностях обеспечен первый металлический слой и второй металлический слой; полупроводниковый элемент,...