×

Правообладатель РИД: Кувшинова Наталья Александровна

Показаны записи 1-1 из 1.
10.07.2019
№219.017.b16a

Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки включает изготовление на лицевой поверхности полуизолирующей подложки с активным слоем, по меньшей мере, одной пары электродов истока и стока с каналом между ними,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002465682
Дата охранного документа: 27.10.2012
+ добавить свой РИД