Правообладатель РИД: Рожанский Игорь Владимирович

Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlInGaN (0≤х≤1, 0≤у≤1) с р-n переходом содержит последовательность эпитаксиальных слоев, образующих области n- и р-типа проводимости. В одной из этих областей сформирована активная...