Правообладатель РИД: Гейфман Евгений Моисеевич

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при росте эпитаксиальных структур монокристаллического карбида кремния (SiC) с малой плотностью эпитаксиальных дефектов. Способ роста эпитаксиальной структуры монокристаллического карбида кремния с малой...