Правообладатель РИД: Воробьев Антон Алексеевич

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: мощный полевой транзистор СВЧ содержит полупроводниковую подложку со структурой слоев, которая выполнена в виде прямой последовательности полуизолирующего слоя, nтипа проводимости слоя, стоп-слоя, буферного слоя, активного слоя,...