Правообладатель РИД: ГЕРР Эгон (CH)

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых устройств. Сущность изобретения: в силовом полупроводниковом модуле, содержащем, по меньшей мере, две электропроводные пластины основания, множество полупроводниковых микросхем и корпус модуля, состоящий из электропроводной крышки и...