Правообладатель РИД: Успенский Михаил Борисович

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к конструкции инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности излучения. Инжекционный лазер на основе полупроводникового материала AB и его твердых растворов с интерференционным покрытием по крайней мере на...