Правообладатель РИД: ХАЯМИ, Ясуаки (JP)

Настоящее изобретение содержит полупроводниковую подложку (2A), группу (4) электродов, которая формируется на полупроводниковой подложке (2A), и изоляторы (2B), в которых формируются множество конденсаторов (C1-C3). Множество конденсаторов (C1-C3) имеют структуру, в которой изоляторы (2B)...

Полупроводниковое устройство включает: подложку, область дрейфа первого типа проводимости, образованную на основной поверхности подложки, карман второго типа проводимости, образованный в основной поверхности области дрейфа, область истока первого типа проводимости, образованную в кармане,...

Устройство относится к электротехнике. Технический результат состоит в одновременном улучшении индуктивности и плотности тока. Индуктор (1A) с использованием подложки (2) в качестве материала основания содержит фрагмент (3) сердечника, фрагмент (4) катушки, изоляционные фрагменты (5),...