Правообладатель РИД: Качко Александр Станиславович

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов. Сущность изобретения: в способе получения слоя...