×

Правообладатель РИД: Гладышев Андрей Геннадьевич

Показаны записи 1-1 из 1.
08.06.2019
№219.017.75c6

Способ изготовления полупроводниковых гетероструктур с атомарно гладкими стоп-слоями ingap и inp на подложках gaas и inp

Изобретение относится к электронной и оптоэлектронной технике и может быть использовано для изготовления монолитных интегральных схем, работающих в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн, а также для изготовления вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690859
Дата охранного документа: 06.06.2019
+ добавить свой РИД