Правообладатель РИД: БЕМЕР, Юрген (DE)

Изобретение относится к электротехнике, к способам и системам (3) управления MOSFET (1), в частности MOSFET (1), базирующегося на широкозонном полупроводнике. Техническим результатом заявленного изобретения является уменьшение потерь в преобразователе, вызванных обратными токами. Согласно...

Изобретение относится к способу и к системе (3) управления для управления MOSFET (1), в частности MOSFET (1) на основе полупроводника с широкой запрещенной зоной. Технический результат заключается в улучшении обеспечения постоянства поведения MOSFET в режиме переключения при переменных условиях...

Изобретение относится к управляющему устройству (2) для управления биполярным переключаемым силовым полупроводниковым схемным элементом (1). Технический результат – возможность эффективного отключения биполярного переключаемого силового полупроводникового схемного элемента (1). Для этого...

Изобретение относится к области электротехники, в частности к фазному модулю для полупроводникового преобразователя. Техническая задача заключается в повышении электрической пропускной способности по мощности фазы полупроводникового преобразователя электроэнергии и улучшении фазного модуля с...

Изобретение относится к компоновке (1) токовых шин для электрического контактирования, по меньшей мере, с одним полупроводниковым модулем, компоновка (1) токовых шин содержит, по меньшей мере, две токовые шины, по меньшей мере, в одной области (13) перекрытия компоновки (1) токовые шины (11)...