Правообладатель РИД: Галушка Виктор Владимирович

Изобретение относится к области получения пористых анодных оксидов полупроводников и изучения полупроводниковых материалов в процессе их формирования (т.е. in situ). Техническая проблема заключается в возможности получения полупроводниковых наноструктурированных материалов с прогнозируемым...

Изобретение относится к области радиофизики, и материал предназначен для поглощения электромагнитного излучения сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона, причем его структура и свойства адаптированы для использования в средствах экипировки и создания элементов носимой одежды для маскировки...